封裝用IGBT測試儀廠家推薦「華科智源」

什么是大功率半導體元件？其用途為何？

凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。當這兩個參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數(shù)的測量，以分辨其中的優(yōu)劣。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。

欲測知元件老化，所須提供的測量范圍為何？ 當大功率元件在作導通參數(shù)的測試時，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測試時，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當這兩個參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數(shù)的測量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0。

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關(guān)斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關(guān)斷時間 toff

開通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

反向恢復電流 IRM 反向恢復電荷 Qrr

反向恢復時間 trr 反向恢復損耗 Erec

其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 關(guān)斷時間采用單脈沖測試，由計算機設定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGG到測試要求值，開關(guān)被測器件DUT一次，被測器件的開沖持續(xù)時間必須保證DUT完全飽和，同時監(jiān)測集電極電流IC、柵極-發(fā)射極電壓VGE和集電極-發(fā)射極電壓VCE，記錄下被測器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計算機，由計算機對測試波形進行分析與計算，后顯示測試結(jié)果。2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 。