磁控鍍膜機報價常用解決方案「沈陽鵬程」

磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。　

技術(shù)指標：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa（短時間暴露　　大氣并充干燥氮氣后開始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負偏壓 -200V　　

樣品轉(zhuǎn)盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤由伺服電機驅(qū)動，計算機控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計算機控制系統(tǒng)的功能：對位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對位移曲線可在線性和對數(shù)標度兩種顯示之間切換，可實現(xiàn)換位鍍膜。

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什么是磁控濺射？

磁控濺射是物理氣相沉積的一種。想要了解更多沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司的相關(guān)信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點。上世紀 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

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磁控濺射的工作原理

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磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。

自動磁控濺射系統(tǒng)概述

帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，大到6'旋轉(zhuǎn)平臺，可支持到4個偏軸平面磁控管。濺射鍍膜濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達到10-6 Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

帶有14”立方形不銹鋼腔體，4個2”的磁控管，DC直流和RF射頻電源。 在選配方面，350 l/s渦輪分子泵，額外的磁控管和襯底加熱功能。

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