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華科智源IGBT電參數(shù)測試儀,可用于多種封裝形式的IGBT的測試,還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車,風(fēng)力發(fā)電,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術(shù)要求 1)閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路(僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測試電路) 。測試過程簡單,既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測試。
深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測儀,MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。3半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T4023-1997半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管。
測量目的:對模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會(huì)隨著器件使用年限的增加而變化,飽和壓降Vcesat會(huì)逐漸劣化。因此,定期檢測可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。優(yōu)勢行業(yè):電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。且變流器由多個(gè)模塊組成,由于個(gè)體差異,大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。因此,測量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù),進(jìn)行跟蹤管理,可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 IGBT模塊VCE-IC特線(單管),Vcesat隨電流變大而增大。
2.2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測試參數(shù): 1、Irr(反向恢復(fù)電流):50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復(fù)電荷):1~1000uC 1~50uC±5%±0.1 uC 50~200uC±5%±1 uC 200~1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復(fù)時(shí)間):20~2000ns 20~100±5%±1ns 100~500±5%±2ns 500~2000±3%±5ns 4、Erec(反向關(guān)斷能量損失):0.5~1000mJ 0.5~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~200mJ±5%±1mJ 200~1000mJ±5%±2mJ 測試條件: 1、正向電流IFM:50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、-di/dt測量范圍:200~10000A/us 3、反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk:200~1000V±3%±2V 4、dv/dt測量范圍:100~10000V/us