上海整流橋GBU810給您好的建議「多圖」

同方迪一整流橋，穩(wěn)定且易于使用

同方迪一整流橋

適合中低功率應(yīng)用的單相和三相絕緣整流橋。二極管、晶閘管和IGBT采用通用和特殊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，有各種外殼和端子設(shè)計可供選擇。適用于電壓范圍200V - 2200V、電流范圍 9A - 494A。

同方迪一整流橋的優(yōu)勢

對于以性能、空間和快速生產(chǎn)為重要因素的許多應(yīng)用，同方迪一整流橋是理想的解決方案。

絕緣的緊湊外殼中可集成二極管、晶閘管和IGBT，并支持單相和三相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。無論您選焊接、免焊接彈簧或Press-fit連接、機械螺釘連接、快速插接還是母線，賽米控都可提供滿足您需求的合適產(chǎn)品。

同方迪一整流橋的關(guān)鍵特性

適合強制和自然風(fēng)冷，易于安裝可帶或不帶散熱器，絕緣外殼，高浪涌電流，快速插接或引線連接器。

同方迪一整流橋的應(yīng)用主要應(yīng)用

包括電池充電器、電機驅(qū)動輸入整流器、電源、直流電機控 制，帶PFC的整流器、AC控制器、可進行自然對流或強制冷卻的靜 態(tài)開關(guān)（SKWT型）。

同方迪一分享整流橋的主要參數(shù)

整流橋的本質(zhì)是二極管，所以整流橋的主要參數(shù)與二極管類似。

①反向峰值電壓（VRRM）：整流橋能承受的反向電壓*大值，超過此值,整流橋擊穿。示例中GBJ2510反向峰值電壓為1000V。

②平均整流電流（Io）:整流橋長期工作時所能承受的流過的*大電流，超過這個值整流橋熱擊穿。示例中全系列整流橋的平均整流電流在帶散熱片的條件下為25A，不帶散熱片的條件下為4A。

③正向峰值浪涌電流（IFSM）：整流橋能扛住的瞬間電流沖擊*大值，超過此值，整流橋損壞。示例中全系列整流橋能在半個周期內(nèi)扛住的*大沖擊電流為320A。

同方迪一整流橋堆的構(gòu)成

整流橋堆品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結(jié)構(gòu)之分。*大整流電流從0.5A到100A，*高反向峰值電壓從50V到1600V。

半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,

選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓.好的廠家有同方迪一的G系列整流橋堆,進口品牌有ST、IR,臺系的SEP、GD等。整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。

全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。

全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（*高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規(guī)格。

同方迪一分享整流橋的原理和應(yīng)用范圍

整流橋原理

整流橋由控制器的控制角控制, 當(dāng)控制角為0°～90°時， 整流橋處于整流狀態(tài), 輸出電壓的平均值為正;當(dāng)控制角為90°～180°-γ時 (γ為換弧角) ，整流橋處于逆變狀態(tài)，輸出電壓的平均值為負(fù)。

整流橋應(yīng)用范圍

由于一般整流橋應(yīng)用時, 常在其負(fù)載端接有平波電抗器，故可將其負(fù)載視為恒流源。另外根據(jù)EMI測量標(biāo)準(zhǔn)，為減小電網(wǎng)阻抗對測量結(jié)果的影響，需要在整流橋的電網(wǎng)輸入端接入線性阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò) (LISN) 。

測試所用的LISN的結(jié)構(gòu)如圖所示，其主要作用是：

①減小電網(wǎng)阻抗對測量結(jié)果的影響；

②隔離來自電網(wǎng)端的干擾。由于LISN的隔離作用，可以把電網(wǎng)端視作一僅有基波電勢和內(nèi)阻抗的電源。