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高低溫沖擊試驗(yàn)箱生產(chǎn)廠家廠家供應(yīng)「在線咨詢」

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發(fā)布時(shí)間:2021-07-27 15:35  






在 GJB 360B—2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法》中涉及高溫試驗(yàn)的有“高溫壽命試驗(yàn)”,其試驗(yàn)?zāi)康氖怯糜诖_定試驗(yàn)樣品在高溫條件下工作一段時(shí)間后,高溫對(duì)試驗(yàn)樣品的電氣和機(jī)械性能的影響,從而對(duì)試驗(yàn)樣品的質(zhì)量做出評(píng)定。在 GJB 128A—1997《半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》中涉及高溫試驗(yàn)的有“高溫壽命(非工作)”和“高溫壽命(非工作)(抽樣方案)”兩種試驗(yàn),前者的試驗(yàn)的目的是用于確定器件在承受規(guī)定的高溫條件下是否符合規(guī)定的失效率,后者的試驗(yàn)?zāi)康氖怯糜诖_定器件在承受規(guī)定的條件下是否符合規(guī)定的抽樣方案。按照規(guī)定要求進(jìn)行恢復(fù),后對(duì)樣品進(jìn)行外觀及電氣和機(jī)械性能的檢測(cè)。電子元器件在高溫環(huán)境中,其冷卻條件惡化,散熱困難,將使器件的電參數(shù)發(fā)生明顯變化或絕緣性能下降。例如,在高溫條件下,存在于半導(dǎo)體器件芯片表面及管殼內(nèi)的雜質(zhì)加速反應(yīng),促使沾污嚴(yán)重的產(chǎn)品加速退化。此外,高溫條件對(duì)芯片的體內(nèi)缺陷、硅氧化層和鋁膜中的缺陷以及不良的裝片、鍵合工藝等也有一定的檢驗(yàn)效果。GJB 150《設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)條件》是設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),它規(guī)定了統(tǒng)一的環(huán)境試驗(yàn)條件或等級(jí),用以評(píng)價(jià)設(shè)備適應(yīng)自然環(huán)境和誘發(fā)環(huán)境的能力,適用于設(shè)備研制、生產(chǎn)和交付各階段,是制定有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)文件的基礎(chǔ)和選用依據(jù)。





對(duì)于空氣介質(zhì)法,試驗(yàn)設(shè)備的要求如下:

   ① 高溫箱、低溫箱應(yīng)能滿足規(guī)定的極限溫度條件;

   ② 高溫箱、低溫箱應(yīng)符合本試驗(yàn)規(guī)定的容差;

   ③ 試驗(yàn)箱應(yīng)有足夠的熱容量,以便試驗(yàn)樣品放入試驗(yàn)箱后,在 5min 內(nèi)工作空間就能恢復(fù)到規(guī)定的溫度值;

   ④ 試驗(yàn)樣品的安裝和支撐架的熱導(dǎo)率應(yīng)低,以保證試驗(yàn)樣品與安裝和支撐架間處于一種絕熱狀態(tài)。





高低溫(濕熱)試驗(yàn)箱產(chǎn)品的可靠性和環(huán)境適應(yīng)性均屬于產(chǎn)品的質(zhì)量特性。,環(huán)境條件與可靠性設(shè)計(jì)和試驗(yàn)有關(guān),環(huán)境工程在產(chǎn)品全壽命期內(nèi)開展,可以提高產(chǎn)品的設(shè)計(jì)質(zhì)量和檢驗(yàn)生產(chǎn)質(zhì)量的穩(wěn)定性,特別是對(duì)成敗型產(chǎn)品的研制、設(shè)計(jì)及生產(chǎn)過(guò)程中,環(huán)境工程的試驗(yàn)結(jié)果可以被可靠性工程所接受和運(yùn)用。但在產(chǎn)品設(shè)計(jì)研制過(guò)程中環(huán)境工程主要分析產(chǎn)品在其壽命周期中可能遇到的極限環(huán)境,利用設(shè)計(jì)手段提高產(chǎn)品承受極限環(huán)境的能力。而可靠性工程主要分析產(chǎn)品在其壽命周期中可能遇到的典型環(huán)境,利用設(shè)計(jì)手段來(lái)提高產(chǎn)品的可靠性水平。不少單位進(jìn)行例行高溫試驗(yàn)時(shí)使用干燥箱做電子元器件等電子產(chǎn)品的高溫試驗(yàn),這是不合適的,試驗(yàn)后得到的數(shù)據(jù)不可靠,甚至燒壞樣品,導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)論。




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