天津模擬開(kāi)關(guān)公司信息推薦「北京啟爾特」

200度高溫模擬開(kāi)關(guān)

北京啟爾特石油科技新到一批210度和225度模擬開(kāi)關(guān)。具有低功耗特性和3.3 V至5.5 V的工作電源范圍。所有通道均采用先開(kāi)后合式開(kāi)關(guān)，防止切換通道時(shí)發(fā)生瞬時(shí)短路。它們均針對(duì)極端溫度下的穩(wěn)定性而設(shè)計(jì)，在額定溫度下可連續(xù)工作1000小時(shí)。當(dāng)VDD=5V、VEE=0V時(shí)，RON=280Ω，且隨V1的變化突變。適用于石油測(cè)井勘探領(lǐng)域?！?

泄漏電流　一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)要求導(dǎo)通時(shí)電阻為零，斷開(kāi)時(shí)電阻趨于無(wú)限大，漏電流為零。而實(shí)際開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)為高阻狀態(tài)，漏電流不為零，常規(guī)的CMOS漏電流約1nA。如果信號(hào)源內(nèi)阻很高，傳輸信號(hào)是電流量，就特別需要考慮模擬開(kāi)關(guān)的泄漏電流，一般希望泄漏電流越小越好。集成多路模擬開(kāi)關(guān)（以下簡(jiǎn)稱多路開(kāi)關(guān)）是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。

開(kāi)關(guān)速度　指開(kāi)關(guān)接通或斷開(kāi)的速度。通常用接通時(shí)間TON和斷開(kāi)時(shí)間TOFF表示。對(duì)于需要傳輸快變化信號(hào)的場(chǎng)合，要求模擬開(kāi)關(guān)的切換速度高，同時(shí)還應(yīng)該考慮與后級(jí)采樣保持電路和A/D轉(zhuǎn)換器的速度相適應(yīng)，從而以性能價(jià)格比來(lái)選擇器件。

175度進(jìn)口模擬開(kāi)關(guān)

北京啟爾特石油科技新到一批210度和225度模擬開(kāi)關(guān)。具有低功耗特性和3.3 V至5.5 V的工作電源范圍。所有通道均采用先開(kāi)后合式開(kāi)關(guān)，防止切換通道時(shí)發(fā)生瞬時(shí)短路。它們均針對(duì)極端溫度下的穩(wěn)定性而設(shè)計(jì)，在額定溫度下可連續(xù)工作1000小時(shí)。信號(hào)可雙向傳輸有些人習(xí)慣于把模擬開(kāi)關(guān)的兩個(gè)常開(kāi)常閉端稱之為輸入端，公共端稱之為輸出端，其實(shí)這只是根據(jù)模擬開(kāi)關(guān)的具體應(yīng)用給予的臨時(shí)定義。適用于石油測(cè)井勘探領(lǐng)域。

模擬開(kāi)關(guān)輸入有嚴(yán)格的輸入信號(hào)范圍

由于模擬開(kāi)關(guān)是半導(dǎo)體器件，當(dāng)輸入信號(hào)過(guò)低(低于零電勢(shì))或者過(guò)高(高于電源電壓)時(shí)，MOSFET處于反向偏置，當(dāng)電壓達(dá)到某一值時(shí)(超出限值0.3V)，此時(shí)開(kāi)關(guān)無(wú)法正常工作，嚴(yán)重者甚至損壞。因此模擬開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中，一定要注意輸入信號(hào)不要超出規(guī)定的范圍。例如,若模擬開(kāi)關(guān)的供電電源VDD=＋5V,VSS=0V,當(dāng)VEE=－5V時(shí),只要對(duì)此模擬開(kāi)關(guān)施加0～5V的數(shù)字控制信號(hào),就可控制幅度范圍為－5V～＋5V的模擬信號(hào)。

注入電荷

應(yīng)用機(jī)械開(kāi)關(guān)我們當(dāng)然希望Ron越低越好，因?yàn)榈妥杩梢越档托盘?hào)的損耗。然而對(duì)于模擬開(kāi)關(guān)而言，低Ron并非適用于所有的應(yīng)用，較低的Ron需要占據(jù)較大的芯片面積，從而產(chǎn)生較大的輸入電容，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充電和放電過(guò)程會(huì)消耗更多的電流。時(shí)間常數(shù)t=RC，充電時(shí)間取決于負(fù)載電阻(R)和電容(C)，一般持續(xù)幾十納秒。這說(shuō)明低Ron具有更長(zhǎng)的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間。泄漏電流一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)要求導(dǎo)通時(shí)電阻為零，斷開(kāi)時(shí)電阻趨于無(wú)限大，漏電流為零。為此，選擇模擬開(kāi)關(guān)應(yīng)該綜合權(quán)衡Ron和注入電荷。

200度進(jìn)口模擬開(kāi)關(guān)

北京啟爾特石油科技新到一批210度和225度模擬開(kāi)關(guān)。具有低功耗特性和3.3 V至5.5 V的工作電源范圍。所有通道均采用先開(kāi)后合式開(kāi)關(guān)，防止切換通道時(shí)發(fā)生瞬時(shí)短路。它們均針對(duì)極端溫度下的穩(wěn)定性而設(shè)計(jì)，在額定溫度下可連續(xù)工作1000小時(shí)。這些開(kāi)關(guān)采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開(kāi)關(guān)速度和極低導(dǎo)通電阻特性。適用于石油測(cè)井勘探領(lǐng)域。

開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)仍會(huì)有感應(yīng)信號(hào)漏出

這一特性指的是當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)傳輸交流信號(hào)時(shí)，在斷開(kāi)情況下，仍然會(huì)有一部分信號(hào)通過(guò)感應(yīng)由輸入端傳到輸出端，或者由一個(gè)通道傳到另一個(gè)通道。通常信號(hào)的頻率越高，信號(hào)泄漏的程度越嚴(yán)重。

傳輸電流比較小

模擬開(kāi)關(guān)不同于機(jī)械開(kāi)關(guān)，它通常只能傳輸小電流，目前CMOS工藝的模擬開(kāi)關(guān)允許連續(xù)傳輸?shù)碾娏鞔蠖嘈∮?00mA。

邏輯控制端驅(qū)動(dòng)電流

機(jī)械開(kāi)關(guān)邏輯控制端的驅(qū)動(dòng)電流往往都是毫安級(jí)，有時(shí)單純靠數(shù)字I/O很難驅(qū)動(dòng)。而模擬開(kāi)關(guān)的邏輯控制端驅(qū)動(dòng)電流，一般低于納安級(jí)。因此，它完全可以由數(shù)字I/O直接驅(qū)動(dòng)，從而達(dá)到降低功耗、簡(jiǎn)化電路的目的。

測(cè)井225度模擬開(kāi)關(guān)

北京啟爾特石油科技新到一批210度和225度模擬開(kāi)關(guān)。具有低功耗特性和3.3 V至5.5 V的工作電源范圍。所有通道均采用先開(kāi)后合式開(kāi)關(guān)，防止切換通道時(shí)發(fā)生瞬時(shí)短路。它們均針對(duì)極端溫度下的穩(wěn)定性而設(shè)計(jì)，在額定溫度下可連續(xù)工作1000小時(shí)。注入電荷應(yīng)用機(jī)械開(kāi)關(guān)我們當(dāng)然希望Ron越低越好，因?yàn)榈妥杩梢越档托盘?hào)的損耗。適用于石油測(cè)井勘探領(lǐng)域。

一，全部了解多路開(kāi)關(guān)的特性，否則可能出現(xiàn)難以預(yù)料的問(wèn)題。例如：CMOS多路開(kāi)關(guān)在電源切斷時(shí)是斷開(kāi)的，而結(jié)型FET多路開(kāi)關(guān)在電源切斷時(shí)是接通的。若未注意到這一點(diǎn)，就可能因電源的通斷而損壞有關(guān)芯片。

第二，多路開(kāi)關(guān)只有與相關(guān)電路合理搭配，協(xié)調(diào)工作，才能充分發(fā)揮其性能，甚至彌補(bǔ)某些性能的欠缺。否則，片面追求多路開(kāi)關(guān)的，忽略與相關(guān)電路的搭配與協(xié)調(diào)，不但會(huì)造成成本與性能指標(biāo)的浪費(fèi)，而且往往收不到預(yù)期的效果。