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ICP刻蝕機的原理

感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

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影響因素

刻蝕率–氣壓（Pressure）。–溫度（Temperature）提高溫度會提高刻蝕率。–Micro-loading–刻蝕后腐蝕（Post-etch corrosion）。–殘留物（residual）。

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ICP刻蝕機裝片介紹

以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，今天我們來分享ICP刻蝕機的相關內容，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！

等離子體系統(tǒng)效應的過程轉換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。冷熱探針法將夾具平穩(wěn)放入反應室的支架上，關好反應室的蓋子。等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下：熱探針和N型半導體接觸時，傳導電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。同樣道理，P型半導體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負的。此電勢差可以用簡單的微伏表測量。熱探針的結構可以是將小的熱線圈繞在一個探針的周圍，也可以用小型的電烙鐵。

ICP刻蝕機檢測技術

高密度等離子體刻蝕是當今超大規(guī)模集成電路制造過程中的關鍵步驟。已經開發(fā)出許多終點檢測技術，終點檢測設備就是為實現刻蝕過程的實時監(jiān)控而設計的。

光學發(fā)射:

光學發(fā)射光譜法（OES）是使用較為廣泛的終點檢測手段。其原理是利用檢測等離子體中某種反應性化學基團或揮發(fā)性基團所發(fā)射波長的光強的變化來實現終點檢測。等離子體中的原子或分子被電子激發(fā)到激發(fā)態(tài)后，在返回到另一個能態(tài)時，伴隨著這一過程所發(fā)射出來的光線。

光線的強度變化可從反應腔室側壁上的觀測孔進行觀測。不同原子或分子所激發(fā)的光波波長各不相同，光線強度的變化反應出等離子體中原子或分子濃度的變化。被檢測的波長可能會有兩種變化趨式：一種是在刻蝕終點時， 反應物所發(fā)出的光線強度增加；另一種情形是光線強度減弱。

激光干涉：

激光干涉終點法（IEP）是用激光光源檢測透明薄膜厚度的變化，當厚度變化停止時，則意味著到達了刻蝕終點。其原理是當激光垂直入射薄膜表面時，在透明薄膜前被反射的光線與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線相互干涉。

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