【廣告】
我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件,廢電子元件回收,廢線路板回收蘇州電子芯片,蘇州回收手機(jī)排線,手機(jī)板回收,廢舊電容器回收,電解電容回收,蘇州電子元器件,蘇州顯示屏回收及綜合利用等。電子測(cè)試不能夠確定是否是BGA器件引起了測(cè)試的失效,但是它們卻因此而被剔除掉。
失效分析技術(shù) /電子元器件
電子信息技術(shù)是當(dāng)今新技術(shù)革命的核心,電子元器件是發(fā)展電子信息技術(shù)的基礎(chǔ)。了解造成元器件失效的因素,以提高可靠性,是電子信息技術(shù)應(yīng)用的必要保證。開展電子元器件失效分析,需要采用一些先進(jìn)的分析測(cè)試技術(shù)和儀器。
1 光學(xué)顯微鏡分析技術(shù)
2 紅外分析技術(shù)
3 聲學(xué)顯微鏡分析
4 液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)
5 光輻射顯微分析技術(shù)
6 微分析技術(shù)
我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件,廢電子元件回收,廢線路板回收蘇州電子芯片,蘇州回收手機(jī)排線,手機(jī)板回收,廢舊電容器回收,電解電容回收,蘇州電子元器件,蘇州顯示屏回收及綜合利用等。用密封劑將電路芯片、引線、柔性載帶焊盤包封(灌封或涂敷)起來(lái)。
檢測(cè)方法/電子元器件
水泥電阻的檢測(cè)。檢測(cè)水泥電阻的方法及注意事項(xiàng)與檢測(cè)普通固定電阻完全相同。
熔斷電阻器的檢測(cè)。(3)電解電容內(nèi)部有電解液,長(zhǎng)時(shí)間烘烤會(huì)使電解液變干,導(dǎo)致電容量減小,要重點(diǎn)檢查散熱片及大功率元器件附近的電容,離其越近,損壞的性就越大。在電路中,當(dāng)熔斷電阻器熔斷開路后,可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)作出判斷:若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦,可斷定是其負(fù)荷過(guò)重,通過(guò)它的電流超過(guò)額定值很多倍所致;如果其表面無(wú)任何痕跡而開路,則表明流過(guò)的電流剛好等于或稍大于其額定熔斷值。對(duì)于表面無(wú)任何痕跡的熔斷電阻器好壞的判斷,可借助萬(wàn)用表R×1擋來(lái)測(cè)量,為保證測(cè)量準(zhǔn)確,應(yīng)將熔斷電阻器一端從電路上焊下。若測(cè)得的阻值為無(wú)窮大,則說(shuō)明此熔斷電阻器已失效開路,若測(cè)得的阻值與標(biāo)稱值相差甚遠(yuǎn),表明電阻變值,也不宜再使用。在維修實(shí)踐中發(fā)現(xiàn),也有少數(shù)熔斷電阻器在電路中被擊穿短路的現(xiàn)象,檢測(cè)時(shí)也應(yīng)予以注意。
我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件,廢電子元件回收,廢線路板回收蘇州電子芯片,蘇州回收手機(jī)排線,手機(jī)板回收,廢舊電容器回收,電解電容回收,蘇州電子元器件,蘇州顯示屏回收及綜合利用等。電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。
電容器
固定電容器的檢測(cè)
A 檢測(cè)10pF以下的小電容 因10pF以下的固定電容器容量太小,用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量,只能定性的檢查其是否有漏電,內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。根據(jù)BGA連接點(diǎn)的常規(guī)結(jié)構(gòu),在每個(gè)橫截面X射線圖像“切片”內(nèi),具體連接點(diǎn)的特征被進(jìn)行分離并予于以測(cè)量,從而提供定量的統(tǒng)計(jì)工藝控制(SPC)測(cè)量,SPC測(cè)量能夠用于追z蹤過(guò)程偏移,以及將其特征歸入對(duì)應(yīng)的缺陷范疇。測(cè)量時(shí),可選用萬(wàn)用表R×10k擋,用兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳,阻值應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)出阻值(指針向右擺動(dòng))為零,則說(shuō)明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。
B 檢測(cè)10PF~0 01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象,進(jìn)而判斷其好壞。BGA封裝出現(xiàn)于90年代初期,現(xiàn)已發(fā)展成為一項(xiàng)成熟的高密度封裝技術(shù)。萬(wàn)用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上,且穿透電流要些 可選用3DG6等型號(hào)硅三極管組成復(fù)合管。萬(wàn)用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用,把被測(cè)電容的充放電過(guò)程予以放大,使萬(wàn)用表指針擺幅度加大,從而便于觀察。應(yīng)注意的是:在測(cè)試操作時(shí),特別是在測(cè)較小容量的電容時(shí),要反復(fù)調(diào)換被測(cè)電容引腳接觸A、B兩點(diǎn),才能明顯地看到萬(wàn)用表指針的擺動(dòng)。
C 對(duì)于0 01μF以上的固定電容,可用萬(wàn)用表的R×10k擋直接測(cè)試電容器有無(wú)充電過(guò)程以及有無(wú)內(nèi)部短路或漏電,并可根據(jù)指針向右擺動(dòng)的幅度大小估計(jì)出電容器的容量。