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影響鍍膜機(jī)磁控靶點(diǎn)火電壓的幾個(gè)因素

氣體壓力對(duì)點(diǎn)火電壓的影響：在磁控靶濺射鍍膜工藝過(guò)程中，由于磁控靶的陰-陽(yáng)極間距一經(jīng)確定就是一個(gè)大體不變的值，工作氣體的壓力在一定的(例如0.1Pa~10Pa)范圍內(nèi)變化可能會(huì)對(duì)點(diǎn)火電壓產(chǎn)生較大的影響，總的變化趨勢(shì)為：隨著工作氣體的壓力的逐步增大，磁控靶點(diǎn)火電壓相應(yīng)降低。不同的磁控靶、不同材質(zhì)的靶材，靶啟輝點(diǎn)火的工作氣體壓強(qiáng)不盡相同。

電源對(duì)點(diǎn)火電壓的影響：在同等條件下，選用射頻靶電源比選中頻或直流靶電源，磁控靶陰極點(diǎn)火電壓和工作(濺射)電壓都會(huì)要降低;選用射頻、中頻正弦半波或脈沖靶電源，比選低頻率同類波形靶電源，陰極點(diǎn)火電壓和工作(濺射)電壓均會(huì)要降低;

鍍膜設(shè)備類型：

—空氣：(1)進(jìn)口和出口區(qū)配備動(dòng)態(tài)鎖定輥系統(tǒng)，確保帶材不間斷運(yùn)動(dòng)(2)帶材緩沖器、連接和分離裝置以及放置于鍍膜機(jī)前、后端大氣中的放卷機(jī)和收卷機(jī)，以保證連續(xù)生產(chǎn)(3)生產(chǎn)周期僅受限于靶材/真空腔體內(nèi)蒸發(fā)物儲(chǔ)存量

—分批式：(1)真空工藝區(qū)入口和出口處連接的卷軸裝載鎖定腔體，使用帶材閥隔開(2)可在不中斷工藝真空的前提下裝載和卸載卷軸(3)生產(chǎn)周期為1卷軸的時(shí)間，然后停止，進(jìn)行卷軸更換；帶材廢料長(zhǎng)度約為工藝部分的兩倍(4)電子束工藝配備額外的檔板，用以補(bǔ)償卷軸更換

鍍膜模式：?jiǎn)蚊驽兡ぃ?1)所有鍍膜工具均位于帶材的一側(cè)(2)使用電子束(EB)工藝時(shí)，（一般情況下）帶材的底側(cè)將被鍍膜雙面鍍膜：(1)鍍膜工具均位于帶材的一側(cè)，卷材改變走帶方向(2)需要二次鍍膜與傳動(dòng)裝置配備

非接觸式鍍膜選項(xiàng)針對(duì)敏感的光學(xué)鍍膜，提供非接觸式機(jī)器概念。

PVD鍍膜膜層的特點(diǎn)及厚度

PVD鍍膜膜層的特點(diǎn),采用PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數(shù))、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，膜層的壽命更長(zhǎng);同時(shí)膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。 PVD鍍膜能夠鍍出的膜層種類,PVD鍍膜技術(shù)是一種能夠真正獲得微米級(jí)鍍層且無(wú)污染的環(huán)保型表面處理方法，它能夠制備各種單一金屬膜(如鋁、鈦、鋯、鉻等),氮化物膜(TiN、ZrN、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN),以及氧化物膜(如TiO等)。PVD鍍膜膜層的厚度—PVD鍍膜膜層的厚度為微米級(jí)，厚度較薄，一般為0.3μm～5μm，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.3μm～1μm，因此可以在幾乎不影響工件原來(lái)尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能，鍍后不須再加工。

真空鍍膜設(shè)備多弧離子鍍膜工藝

真空鍍膜設(shè)備多弧離子鍍膜工藝不僅避免了傳統(tǒng)表面處理的不足，且各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都優(yōu)于傳統(tǒng)工藝，在五金、機(jī)械、化工、模具、電子、儀器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。催化液和傳統(tǒng)處理工藝相比，在技術(shù)上有哪些？ 1、多弧離子鍍膜不用電、降低了成本、成本僅為多弧離子鍍膜鎳的二分之一，真空鍍膜機(jī)多弧離子鍍膜鉻的三分之一，不銹鋼的四分之一，可反復(fù)利用，大大降低了成本。 2、多弧離子鍍膜易操作、工藝簡(jiǎn)單、把金屬基件浸入兌好的液體中“一泡即成”，需要再加工時(shí)不經(jīng)任何處理。