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進口化學氣相沉積設備公司服務放心可靠 沈陽鵬程公司

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發(fā)布時間:2020-08-01 04:23  






ICP刻蝕機簡介

以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容,沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)化學氣相沉積,歡迎新老客戶蒞臨。

一.系統(tǒng)概況

該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片(不超過Φ6)的刻蝕,可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復性好等優(yōu)點。具體描述如下:

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結構,手動上開蓋結構;

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造,真空尺寸為400mm×400×197mm,

內腔尺寸Ф340mm×160mm;

3.極限真空度:≤6.6x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用FF160/600分子泵抽氣);

系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;

系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa,20分鐘可達到(采用分子泵抽氣);

停泵關機12小時后真空度:≤5 Pa;

4.采用樣品在下,噴淋頭在上噴淋式進氣方式;

5.樣品水冷:由循環(huán)水冷水機進行控制;

7.ICP頭尺寸:340mm mm,噴淋頭與樣品之間電極間距50mm;

8. 沉積工作真空:1-20Pa;

9. 氣路設有勻氣系統(tǒng),真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置;

10. 射頻電源:2臺頻率 13.56MHz,功率600W,全自動匹配;

11. 6路氣體,共計使用6個質量流量控制器控制進氣。

氣體:氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2:≥0.5μm/min

Si:≥1μm/min

光刻膠:≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性:

優(yōu)于±5%(Φ4英寸范圍內)

優(yōu)于±6%(Φ6英寸范圍內)

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,



等離子體化學氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方,吸附在基體表面的反應粒子受高能電子轟擊,結合鍵斷裂成為活性粒子,化學反應生成固態(tài)膜。)采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應,使沉積可在較低的溫度下進行。沉積時,基體可加熱,亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運,氣態(tài)物質激發(fā)及化學反應等。主要工藝參數(shù)有:放電功率、基體溫度、反應壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應溫度,已用于多種薄膜材料的制備。

以上就是為大家介紹的全部內容,希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多化學氣相沉積的知識,歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。



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