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刻蝕技術

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刻蝕技術（etching technique），是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

反應性離子刻蝕

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反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質的化學鍵，使之產(chǎn)生低分子物質，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。

離子束刻蝕機

石英晶體諧振器制作

石英晶體的諧振頻率與其厚度有關。用機械研磨和拋光致薄的晶體，可制作低頻器件，但頻率超過20MHz時， 上述工藝已不適用因為極薄的晶片已不能承受機械應力。采用離子束拋光，可以不受此限制。石英晶體諧振器的金屬引線要求重量輕、低電阻，通常用鋁沉積在晶體表面溝槽中，以高電導率鋁作引線電極。用離子束濺射加工晶體_上的溝槽是有效的方法。

離子源的主要參數(shù)有：①離子束流強。即能夠獲得的有用離子束的等效電流強度，用電流單位A或mA表示。②有用離子百分比。即有用離子束占總離子束的百分比。一般來說，離子源給出的總離子束包括單電荷離子、多電荷離子、各種分子離子和雜質元素離子等的離子束。③能散度。由于離子的熱運動和引出地點的不同，使得離子源給出的離子束的能量對要求的單一能量有一定離散，一般希望能散度盡量小，在的離子束應用中尤其是這樣。④束的聚焦性能。以離子束的截面和張角表示。聚焦不好的離子束在傳輸過程中會使離子大量丟失。獲得良好聚焦特性的離子束的終障礙是束中離子之間的靜電排斥力，為了克服這一障礙，應盡早使離子獲得較高能量。⑤離子源的效率。以離子束形式引出的工作物質占總消耗的工作物質的比例。⑥工作壽命。離子源一次安裝以后使用的時間。