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led顯示屏和led屏驅動芯片（二）

3、占空比

就象上面所說的“性能原則”“只要可能，要求應由性能特性來表達，而不用設計和描述特性來表達，這種方法給技術發(fā)展留有余地”。我們認為，“占空比”純屬一個設計技術的要求，不應該做為LED顯示屏產品標準的一項性能指標；大家很明白，有哪個用戶會在意顯示屏的驅動占空比，他們在乎的是顯示屏的效果，而不是我們的技術實現(xiàn)；基于這一原理，在該芯片內設計了一個獨特的反電勢檢測電路(見圖2)，由于有了中點模擬電路，不需從電機三相繞組中引出中線。我們何必自己制造這種技術壁壘，限制行業(yè)的技術發(fā)展呢？ 

4、刷新頻率

從《標準》的測量方法來看，似乎忽略了用戶真正關心的問題，它也沒有很好考慮到各個廠家所用的驅動IC、驅動電路和方式不一，造成測試的困難。譬如深圳體育場的全彩屏招標，在專家的樣品測試中，這個指標的測試就帶來許多問題。“刷新頻率”一幀畫面顯示所需時間的倒數(shù)，把顯示屏當做一個發(fā)光光源，那就是光源的閃爍頻率。我們可以用類似“光感頻率計”的儀器直接測試顯示屏的光源閃爍頻率，來反映這個指標。我們做過這方面的測試利用示波器測量任一種顏色的LED驅動電流波形來確定“刷新頻率”，在白場下測得200Hz；在3級灰度等低灰度級下，所測頻率高達十幾kHz，而用PR－650光譜儀測量；無論在白場，還是在200、100、50級等灰度等級下，所測光源閃爍頻率均為200Hz。MOSFET和IGBT的開通和關斷實質上是對其輸入電容的充放電過程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時間tr和下降時間tf決定輸入回路的時間常數(shù)，即：tr（或tf）=2。

以上幾點只是針對幾個LED顯示屏的特性做一個簡單的說明，還有許多招中遇到的“工作壽命”、“平均無故障時間”等等，沒有一種試驗方法能在較短時間內證實LED顯示屏是否符合穩(wěn)定性、可靠性或壽命等要求；不應規(guī)定這些要求。

IGBT的驅動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。兩者在原理上沒啥太大的區(qū)別，只不過LED驅動IC為了迎合LED照明的特點，集成了更多的功能，就算用普通的電源驅動IC一樣可以實來現(xiàn)那些功能，只不過電路更復雜一些。

輸出特性與轉移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態(tài)。采用了檢查轉子位置并準確對電機加速的起動技術，確保起動時電機不會反轉并可縮短起動時間。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

顯示信息驅動ic是顯示器顯像系統(tǒng)軟件的關鍵一部分，是集成了電阻器，控制器，電壓比較器和輸出功率三極管等構件的，包含LCD控制模塊和顯示信息分系統(tǒng)，承擔驅動器顯示屏和操縱工作電壓等作用，分成靜態(tài)數(shù)據(jù)驅動器和動態(tài)性驅動器二種方式。

顯示信息驅動ic可以驅動器各種各樣高中低檔特性，單、雙及精彩的顯示器。普遍的運用于電信網(wǎng)、郵政快遞、金融業(yè)、交通出行、運動場館等每個制造行業(yè)和政府部門部門。

LED驅動IC的工作原理

集成ic含有恒流電源造成電源電路，可通過外投軟件電阻器來設置輸出恒流值。通過集成ic的使能端能夠操縱輸出安全通道的開關時間，轉換頻率高達一MHz(1MHz)。電流量輸出反映很快，適用高色彩平衡轉變及高界面刷新頻率的運用。近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調速裝置、開關電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場合得到了廣泛的應用。內建引路探測,超溫關閉電源，及過電流量維護作用，使軟件系統(tǒng)的可信性大幅提高。

現(xiàn)階段單脈沖式驅動器集成ic是以高頻的脈沖計數(shù)器輸出插口向LED燈供電系統(tǒng)。由于是脈沖信號頻率很高因此人的眼睛沒辦法覺得出LED的閃頻，因此這一方法即合乎了視覺效果必須又在一方面合理節(jié)省了電磁能輸出。并且這種類集成ic的輸出功率一般可由外界插口操縱。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

驅動器集成ic電流的調整方式主要是更改電流調整的色度，這里假設光的亮度為1倍，白光燈的亮度與電流量轉變時的亮度變?yōu)?.7倍，這時的亮度變成3倍，盡管光照強度與電流并不是占比關聯(lián)，但是紅色光卻呈占比關聯(lián)，主要原因是紅、綠、藍的芯片物理性能相互不同引發(fā)。的通用芯片是74HC595，具有8位鎖存、串一并移位寄存器和三態(tài)輸出功能。