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光刻膠分類

市場上，光刻膠產品依據(jù)不同標準，可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。

按照感光樹脂的化學結構分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經光照后,發(fā)生光分解反應，可以制成正性膠；③光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。

按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。對準：指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。

光刻膠的應用

光刻膠的應用

       1975年，美國的國際半導體設備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學品制定了國際統(tǒng)一標準——SEMI標準。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。

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二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

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(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內的金屬含量、膠的可應用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。