肖特基二極管符號擇優(yōu)推薦【強元芯電子】

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在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對應(yīng)的分能級上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導(dǎo)體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導(dǎo)體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

　　元件的封裝形式也在型號的前綴第四位字母中體現(xiàn)，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是貼片DPAK封裝；TO-263,也就是貼片D2PAK封裝；任何型號的命名都有它的規(guī)律性可循。例如：MBR20100CT,型號中就20100是阿拉伯數(shù)字，20100中，20是電流，100是電壓。以此類推。

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復(fù)實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。