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發(fā)布時間:2020-11-13 13:22  






今天電鍍加工廠帶你看不銹鋼拋光!希望對大家有所幫助。

電化學拋光能提高零件反光性能;提高耐腐蝕性;降低機加工件表面硬度;并因降低表面粗糙度而降低摩擦系數。電化學拋光也可用來除去物件毛刺等。與機械拋光相比,電化學拋光有如下特點。

(1)機械拋光會產生表面硬化層及磨料夾雜,降低不銹鋼的耐腐蝕性,而電化學拋光產生鈍化表面,增加不銹鋼的耐腐蝕性。

(2)電化學拋光對基材有一定要求,如金相組織不均勻時會產生不均勻的拋光表面,深的劃傷不能被拋光平整。而機械拋光對基材的要求低得多。



對于大面積鍍膜,常采用旋轉基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.2電子伏。

蒸發(fā)源有三種類型。①電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。無環(huán)境污染:目前國家大力倡導生產環(huán)保,因為一切鍍層資料都是在真空環(huán)境下經過等離子體堆積在工件表面,沒有溶液污染,所以對環(huán)境的損害適當小。②高頻感應加熱源:用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質。③電子束加熱源:適用于蒸發(fā)溫度較高的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。


蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層,可采用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。目前國內外應用較廣的是碳化釩(VC)覆層,由于這些碳化物具有很高的硬度(HV=2800~3200)和更嚴密的組織,所以經過TD處理的汽車模具性能大幅提高,具有極高的耐磨性、抗咬合性(拉傷)、耐蝕性。噴射爐中裝有分子束源,在超高真空下當它被加熱到一定溫度時,爐中元素以束狀分子流射向基片?;患訜岬揭欢囟?,沉積在基片上的分子可以徙動,按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜,薄膜較慢生長速度可控制在1單層/秒。通過控制擋板,可精準地做出所需成分和結構的單晶薄膜。


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