氣瓶氦檢漏服務性價比出眾【科創(chuàng)真空】

正壓法氦質譜檢漏

采用正壓法檢漏時，需對被檢產品內部密封室充入高于一個大氣壓力的氦氣，當被檢產品表面有漏孔時，氦氣就會通孔漏孔進入被檢外表面的周圍大氣環(huán)境中，再采用吸槍的方式檢測被檢產品周圍大氣環(huán)境中的氦氣濃度增量，從而實現(xiàn)被檢產品泄漏測量。79J/(m·h·K)，在標準狀態(tài)下的定壓比熱為5233J/(kg·K)，在標準狀態(tài)下的動力粘度系數(shù)為1。按照收集氦氣方式的不同，又可以將正壓法分為正壓吸槍法和正壓累積法。其中正壓吸槍法采用檢漏儀吸槍對被檢產品外表面進行掃描探查，可以實現(xiàn)漏孔的; 正壓累積法采用有一定密閉功能的氦罩將被檢產品全部罩起來，采用檢漏儀吸槍測量一定時間段前后的氦罩內氦氣濃度變化量，實現(xiàn)被檢產品總漏率的測量。

正壓法的優(yōu)點是不需要輔助的真空系統(tǒng)，可以，實現(xiàn)任何工作壓力下的檢測。

正壓法的缺點是檢測靈敏度較低，檢測結果不確定度大，受測量環(huán)境條件影響大。

正壓法的檢測標準主要有QJ3089-1999《氦質譜正壓檢漏方法》、QJ2862-1996《壓力容器焊縫氦質譜吸槍罩盒檢漏試驗方法》，主要應用于大容積高壓密閉容器產品的檢漏，如高壓氦氣瓶、艙門檢漏儀等。

背壓法氦質譜檢漏

采用背壓法檢漏時，首先將被檢產品置于高壓的氦氣室中，浸泡數(shù)小時或數(shù)天，如果被檢產品表面有漏孔，氦氣便通過漏孔壓入被檢產品內部密封腔中，使內部密封腔中氦分壓力上升。然后取出被檢產品，將表面的殘余氦氣吹除后再將被檢產品放入與檢漏儀相連的真空容器內，被檢產品內部密封腔內的氦氣會通過漏孔泄漏到真空容器，再進入氦質譜檢漏儀，從而實現(xiàn)被檢產品總漏率測量。因此，在測漏過程中采用較高的測試壓力，可有效檢測出在實際運行中未出現(xiàn)的漏孔。檢漏儀給出的漏率值為測量漏率，需要通過換算公式計算出被檢產品的等效標準漏率。

背壓法的優(yōu)點是檢測靈敏度高，能實現(xiàn)小型密封容器產品的泄漏檢測，可以進行批量化檢測。

背壓法的缺點是不能進行大型密封容器的漏，否則由于密封腔體容積太大，導致加壓時間太長。此外，每個測量漏率都對應兩個等效標準漏率，在細檢完成后還需要采用其它方法進行粗檢，排除大漏的可能。

背壓法的檢漏標準主要有QJ3212-2005《氦質譜背壓檢漏方法》、GJB360A-1996《電子及電氣元件試驗方法方法112 密封試驗》，主要應用于各種電子元器件產品檢漏。

噴氦法氦質譜檢漏方法

這是常用的一種方法,一般用于檢測體積相對較小的部件,將被檢器件和儀器連通,在抽好真空后,在被檢器件可能存在漏孔的地方(如密封接頭,焊縫等) 用噴槍噴氦,如圖4 所示,如果被檢器件某處有漏孔,當氦噴到漏孔上時,氦氣立即會被吸入到真空系統(tǒng),從而擴散到質譜室中,氦質譜檢漏儀的輸出就會立即有響應,使用這種方法應注意:氦氣是較輕的惰性氣體,在噴出后會自動上升,為了準確的在漏孔位置噴氦,噴氦時應自上而下,由近至遠(相對檢漏儀位置) ,這是因為在噴下方時氦氣有可能被上方漏孔吸入,就很難確定漏孔的位置;再者漏孔離質譜室的距離檢漏儀反應時間也不同,所以噴氦應先從靠近檢漏儀的一側開始由近至遠來進行。真空法的優(yōu)點是檢測靈敏度高，可以，能實現(xiàn)大容器或復雜結構產品的檢漏。

氦氣在在半導體中的檢漏作用

為了防止半導體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質而導致性能退化，就必須采用管殼來密封。但是在管殼的封接處或者引線接頭處往往會因為各種原因而產生一些肉眼難以發(fā)現(xiàn)的小洞，所以在元器件封裝之后，就需要采取某些方法來檢測這些小洞的存在與否。 氦氣檢漏就是采用氦氣來檢查電子元器件封裝管殼上的小漏洞。使用壓縮空氣將元件表面的少量殘留氦氣吹掃干凈之后，再利用質譜儀檢測元件表面泄露的氦氣。因為氦原子的尺寸很小，容易穿過小洞而進入到管殼內部，所以這種檢測方法能夠檢測出尺寸很小的小洞（即能夠檢測出漏氣速率約為10?11～10?12cm3/sec的小洞），靈敏度可與性檢漏方法匹敵，但要比性檢漏方法簡便。

氦氣檢漏試驗的方法：首先把封裝好的元器件放入充滿氦氣的容器中，并加壓，讓氦氣通過小洞而進入管殼中；然后取出，并用壓縮空氣吹去管殼表面的殘留氦氣；接著采用質譜儀來檢測管殼外表所漏出的氦氣。