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電子產(chǎn)品的靜電放電對策及改進要點

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ESD通常發(fā)生在產(chǎn)物自身袒露在外的導電物體，大概發(fā)生在相近的導電物體上。

對裝備而言，容易產(chǎn)生靜電放電的部位是：

電纜，鍵盤及袒露在外的金屬框架以及裝備外殼上的孔，洞，縫隙等。

常用的改進方法是在產(chǎn)物ESD發(fā)生或侵入傷害點，比方輸入點和地之間設置瞬態(tài)掩護電路，這些電路僅僅在ESD感應電壓高出極限時發(fā)揮作用。

掩護電路可以包羅多個電流分流單元。

減小ESD產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）影響電子產(chǎn)品或設備的方法：

完全克制ESD產(chǎn)生的EMI耦合到電路或設備

以及通過籌劃工藝增長設備固有的ESD抗擾性。

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解決外殼這個問題的方法有兩個

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1.只管使外殼保持導電連續(xù)，鐫汰搭接阻抗。

2.在電路與機箱之間增長一層屏蔽，鐫汰電路與機箱之間的電容耦合。內(nèi)層屏蔽要與外殼毗連起來。

如果是塑料外殼，則要求對電路的接地舉行過細擺設，以防止放電電流形成感應到電路上去。

塑料外殼的優(yōu)點是不會產(chǎn)生直接放電征象。

假如塑料外殼上沒有大的開孔，則塑料外殼能對電路起到掩護作用。

但塑料外殼對防止利用者對附近物體放電時耦合到內(nèi)部形成干擾無克制本事。

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瞬態(tài)干擾抑制原理

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瞬態(tài)干擾克制方法：

當瞬態(tài)干擾能量較低，且不影響信號轉(zhuǎn)達的情況下，我們可在信號端口使用串聯(lián)分壓來克制瞬態(tài)干擾，利用的器件包羅正溫度系數(shù)電阻，電阻，電感，電容等。

當瞬態(tài)干擾能量較高，或像電源端口，工作電流較大，不恰當使用串聯(lián)抑制的場合，我們可采取并聯(lián)分流法來抑制瞬態(tài)干擾，使用的器件包羅負溫度系數(shù)電阻（壓敏電阻），氣體放電管，硅瞬變抑制二極管等。

與分壓法相比，分流法可遭受更大的脈沖能量和汲取大的脈沖電流。

須要時可將分壓法和分流法組合使用，得到更好的瞬態(tài)干擾抑制效果。

當脈沖能量較低，脈沖電流較小時，低通濾波器也能取到較好的干擾抑制結(jié)果。

使用時，需注意低通濾波器的低頻制止頻率應在脈沖干擾有效頻譜范圍，抑制效果才會比力顯著。

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