大功率IGBT測試儀加工歡迎來電「華科智源」

（2）主要技術參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

大功率半導體器件為何有老化的問題？

任何產(chǎn)品都有設計使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應的維護，延長產(chǎn)品使用壽命和設備良好運行具有極為重要。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復的沖擊，對半導體結構均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。華科智源IGBT測試儀針對IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng)。

如何執(zhí)行導通參數(shù)與漏電流的量測？

?測試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來輸入，而測量結果，亦必須在其所規(guī)定的限額內(nèi)，否則，便為不良品。

大功率I g b t模塊測試系統(tǒng)簡介

我公司所設計生產(chǎn)的半導體元件自動測試系統(tǒng)具備下列測試能力：

☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。

☆外接大電流擴展裝置，檢測范圍可擴展1600A。

8）高壓大功率開關

?電流能力 200A

?隔離耐壓 10kV

?響應時間 150ms

?脈沖電流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 氣動控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

9）尖峰抑制電容

用于防止關斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。

?電容容量 200μF

?分布電感 小于10nH

?脈沖電流 200A

?工作濕度 <70%