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蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時(shí)，爐中元素以束狀分子流射向基片。如航空件的沖壓等就屬于這類企業(yè)，但這些工藝廠也都?xì)w在一些大廠?；患訜岬揭欢囟?，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計(jì)量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精準(zhǔn)地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。

在沖壓加工操作中必須注意一下事項(xiàng)：

操作員必須了解沖壓設(shè)備的型號、規(guī)格、性能，要班前四查：查交接班記錄、查電器、查安全裝置、查模具；

做到定人、定點(diǎn)、定質(zhì)、定量和定期加潤滑油；

有光電保護(hù)回路的壓力機(jī)，開機(jī)前應(yīng)先調(diào)試光電的合適的工作位置并試車；

工作前檢查模具固定情況、安全裝置，一切正常后方能試車,慢車運(yùn)轉(zhuǎn)一周后，再開車空轉(zhuǎn)2-3min，檢查設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)和潤滑情況正常以后，方可進(jìn)行工作；

本實(shí)用新型采用這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)置，磁鐵底座2與鐵制指環(huán)4之間采用磁能吸附方式可實(shí)現(xiàn)數(shù)碼產(chǎn)品360度無死角使用，同時(shí)采用吸附原理，便于磁鐵底座2與鐵制指環(huán)4的分離和隱藏，不使用的情況下也不影響美觀。

更具體而言，所述磁鐵底座2外層設(shè)有配套的外觀鋁件3,外觀鋁件3的外圓直徑與鐵制指環(huán)4的內(nèi)圓直徑相等。采用這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)置，在不使用的情況下，可以將鐵制指環(huán)4套于外觀鋁件3上，起到隱藏鐵制指環(huán)4的效果，不影響其外形的美觀。