OPTM反射率測試擇優(yōu)推薦【大塚電子】

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測量示例：

SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量

半導(dǎo)體晶體管通過控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來發(fā)送信號，但是為了防止電流泄漏和另一個(gè)晶體管的電流流過任意路徑，有必要隔離晶體管，埋入絕緣膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜，或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準(zhǔn)的工藝控制，有必要測量這些膜厚度。



 

　膜厚儀廠家解釋凡其厚度與入射光波長相比擬的并能引起干涉現(xiàn)象(相干光程小于相干長度)的膜層為薄膜，其厚度遠(yuǎn)大于入射光波波長的膜層稱之為厚膜。如今，微電子薄膜，光學(xué)薄膜，抗1氧化薄膜，巨磁電阻薄膜，高溫超導(dǎo)薄膜等在工業(yè)生產(chǎn)和人類生活中的不斷應(yīng)用，在工業(yè)生產(chǎn)的薄膜，其厚度是一個(gè)非常重要的參數(shù)，直接關(guān)系到該薄膜材料能否正常工作。

如果膜厚測試儀已經(jīng)進(jìn)行了適當(dāng)?shù)男?zhǔn)，所有的測量值將保持在一定的誤差范圍內(nèi)；根據(jù)統(tǒng)計(jì)學(xué)的觀點(diǎn)，一次讀數(shù)是不可靠的。因此任何由膜厚測試儀顯示的測量值都是五次“看不見”的測量的平均值。這五次測量是在幾分之一秒的時(shí)間內(nèi)由探頭和儀器完成的。