磁控濺射儀誠信企業(yè)推薦“本信息長期有效”

磁控濺射鍍膜設備技術的特點

(1)離子轟擊滲擴更快因為選用低溫等離子無心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結晶中缺點的相對密度，比傳統(tǒng)式的汽體滲擴技術性速率明顯增強。在一樣加工工藝標準下，滲層深度1在0.05二以內(nèi)，比汽體滲擴提升1倍。在較高溫度下，1h就能達lmm厚。創(chuàng)世威納擁有先進的技術，我們都以質量為本，信譽高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務。

(2)對鋼件表層改性材料成效顯著，工藝性能高，真空泵加溫易清除高溫冶煉廠時融解的汽體，并可根據(jù)滲人金屬材料更改PCB的機構和構造，使耐磨性能、耐蝕性、強度和斷裂韌性等眾多特性獲得改進。而且因為清理功效，使金屬材料粗糙度減少，除去不銹鋼鈍化的殘渣和廢棄物，改進了金屬材料的工藝性能。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。 

(3)加工工藝適應能力強，有利于解決方式繁雜的鋼件。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術很復雜，因而難大規(guī)模采用。傳統(tǒng)式的正離子注人技術性的致命性缺點是注人全過程是1個視野全過程，只能曝露在正離子搶口下的鋼件表層能夠被注人，針對鋼件中必須表層改性材料的內(nèi)表層或管溝表層等，離子束則很難達到，而且一回只有注一人鋼件，注人率低，機器設備繁雜價格昂貴

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磁控濺射法定義是什么？

磁控濺射法是在高真空充入適量的Ar，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使Ar發(fā)生電離。Ar離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。

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磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應氣體）；靶zhong毒的影響因素影響靶zhong毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶zhong毒。 （b）反應濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。

（2）新型反應濺射技術 筆者對現(xiàn)有反應濺射技術方案進行了改進，開發(fā)出新的反應濺射技術，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

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靶zhong毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發(fā)生靶zhong毒時，濺射電壓會顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶zhong毒后濺射速率低。（3）反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。