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但在一個(gè)操作間，機(jī)器以及機(jī)器周?chē)邉?dòng)的人員，會(huì)對(duì)氣流形成障礙。障礙物可以使單向流變成紊流，從而在障礙物周?chē)纬蓺饬鲌F(tuán)。人員的活動(dòng)也可以使單向流變成紊流。在這些紊流中，由于風(fēng)速較低，空氣稀釋程度較小，從而使得污染濃度較高。因此，必須將風(fēng)速保持在0.3米/秒至0.5米/秒（60英尺/分鐘至100英尺/分鐘）的范圍里，以便使中斷的單向流能快速恢復(fù)，充分稀釋障礙物周?chē)闪鲄^(qū)的污染。用風(fēng)速可以正確地表示出單向流，因?yàn)轱L(fēng)速越高室內(nèi)就越潔凈。而每小時(shí)換氣次數(shù)與房間的體積有關(guān)，如吊頂?shù)母叩停虼瞬贿m合用來(lái)表示單向流。這類方案一般可以適用于潔凈度為千級(jí)、萬(wàn)級(jí)、十萬(wàn)級(jí)等的凈化無(wú)塵廠房。單向流室內(nèi)的送風(fēng)量是紊流室的很多倍（10到100倍）。

潔凈室中的溫濕度控制潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來(lái)確定，但在滿足工藝要求的條件下，應(yīng)考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對(duì)溫濕度的要求也越來(lái)越嚴(yán)的趨勢(shì)。具體工藝對(duì)溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來(lái)越精細(xì)，所以對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來(lái)越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊挂院?，?duì)產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導(dǎo)體車(chē)間，這種車(chē)間不宜超過(guò)25度。濕度過(guò)高產(chǎn)生的問(wèn)題更多。相對(duì)濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻水管壁上會(huì)結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會(huì)引起各種事故。相對(duì)濕度在50%時(shí)易生銹。此外，濕度太高時(shí)將通過(guò)空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面耐難以清除。相對(duì)濕度越高,粘附的難去掉，但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。為滿足凈化實(shí)驗(yàn)室溫濕度要求，宜配備機(jī)械空調(diào)通風(fēng)系統(tǒng)，有特殊要求的可增設(shè)設(shè)計(jì)要求，如增設(shè)凈化要求并按凈化要求進(jìn)行送回（排）風(fēng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)等。對(duì)于硅片生產(chǎn)溫度范圍為35—45%。

凈化區(qū)內(nèi)搬運(yùn)物料及機(jī)具搬運(yùn)應(yīng)輕拿輕放，防止碰撞壁板或頂板。工具或材料搬運(yùn)時(shí)必須完全離開(kāi)地面，不得在地面上拖行。管道等長(zhǎng)度≥1.5米的材料必須由兩人進(jìn)行搬運(yùn)，一人拿一端，不得一人獨(dú)自搬運(yùn)；凈化區(qū)使用的腳手架必須清掃干凈、踏板必須用保鮮膜包裹好，每個(gè)腳手架上必須配備一套清掃工具。所有設(shè)備（包括腳手架、推車(chē)等）車(chē)輪必須是橡膠輪子，而且輪子必須用透明膠帶纏緊；1、組合式空氣處理機(jī)組 冷水機(jī)組 送風(fēng)口這是一個(gè)最傳統(tǒng)的凈化空調(diào)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。不得在凈化室進(jìn)行任何電焊、鉆孔、切割、打磨等加工作業(yè)，不得已時(shí)需向業(yè)主申請(qǐng)并做好防護(hù)措施

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