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蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。從蒸發(fā)源到基片的屬距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。

主要分類有兩個大種類: 蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等 。

真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜。真空鍍膜設(shè)備若有灰塵，將會影響真空鍍膜的效果和質(zhì)量。真空鍍膜設(shè)備真空熱處理是指金屬制件在真空或先抽真空后通惰性氣體條件下加熱，然后在油或氣體中淬火冷卻的技術(shù)。由于真空熱處理時，工件基本不氧化，鋼件不脫碳，采用通氣對流加熱方式還可使加熱均勻，減少表面和心部的溫差，從而也減少畸變。目前它已成為工模具不可或缺和的熱處理工藝。因此，選用現(xiàn)代化光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對以下因素的認(rèn)真考慮：對鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及保證高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。

  在真空條件下加熱工件，主要依賴輻射。由于輻射傳熱與溫度的4次方成比例，所以在850℃以下輻射效果不高，工件加熱速度很慢

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。

真空濺射鍍膜根據(jù)濺射現(xiàn)象以上，濺射是用荷能離子轟擊固態(tài)表面，造成固態(tài)表面原子逸出的狀況。濺射是出射粒子將動能傳送給固態(tài)表面，固態(tài)表面原子因消化吸收動能而揮發(fā)出去的全過程。

真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的真空蒸發(fā)鍍、濺射鍍膜和離子鍍等鍍膜技術(shù)。如今鍍膜技術(shù)及薄膜產(chǎn)品在工業(yè)上的應(yīng)用非常廣泛，尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有及其重要的地位。

如今隨著鍍膜技術(shù)的快速增長，各種類型的真空鍍膜機(jī)也開始隨之出現(xiàn)。所謂真空鍍膜設(shè)備工藝就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內(nèi)，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發(fā)或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。