to金屬封裝外殼廠家量大從優(yōu)

密度大也使Cu／W具有對空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。金屬封裝機殼程序編寫包攬了加工的工藝流程設(shè)置、數(shù)控刀片挑選，轉(zhuǎn)速比設(shè)置，數(shù)控刀片每一次走刀的間距這些。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對現(xiàn)代封裝的發(fā)展。國內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。另一個缺點是由于W的百分含量高而導(dǎo)致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數(shù)值較小的物質(zhì)如Mo、W等復(fù)合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬復(fù)合材料。這些材料具有高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，同時融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據(jù)組元相對含量的變化進行調(diào)整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

本發(fā)明公開了一種金屬封裝外殼，通過將現(xiàn)有技術(shù)中的塑料外殼的形狀進行改變，以及對材料進行更換，采用銅作為外殼的材料，同時對外殼內(nèi)部的引線由圓柱狀結(jié)構(gòu)改進為扁平狀結(jié)構(gòu)，使得外殼的內(nèi)部空間增加，散熱性能增強，解決了現(xiàn)有技術(shù)中封裝外殼散熱性能差的問題。為了減少陶瓷基板上的應(yīng)力，設(shè)計者可以用幾個較小的基板來代替單一的大基板，分開布線。本發(fā)明還提供了一種金屬封裝外殼的制備工藝，改進了現(xiàn)有工藝流程，通過該制備工藝制備的金屬封裝外殼具備更可靠的保護性能。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

一種金屬封裝外殼，包括管座、引線、絕緣子和蓋板，所述管座包括殼體及底板，所 述殼體上設(shè)置封接孔，封接孔內(nèi)設(shè)置引線，引線的一端置于殼體外部、另一端置于殼體內(nèi) 部；引線與封接孔之間設(shè)置絕緣子；所述蓋板用于使殼體密封；置于殼體外部的引線端為 柱型結(jié)構(gòu)，置于殼體內(nèi)部的引線端為扁平結(jié)構(gòu)，且扁平結(jié)構(gòu)的寬度大于封接孔的直徑。金屬封裝多種形式、加工靈便，能夠和一些構(gòu)件(如混和集成化的A／D或D／A轉(zhuǎn)化器)結(jié)合為一體，合適于低I／O數(shù)的單芯片和多芯片的主要用途，也合適于頻射、微波加熱、光學(xué)、聲表面波和大電力電子器件，能夠考慮批量生產(chǎn)、銷售電價的規(guī)定。