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正負(fù)光刻膠
正負(fù)光刻膠
光刻膠分負(fù)性膠和正性膠兩類(lèi)。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對(duì)某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的,故此叫正膠,利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
一般來(lái)說(shuō)線寬的用正膠,線窄的用負(fù)膠! 正性光刻膠比負(fù)性的精度要高,負(fù)膠顯影后圖形有漲縮,負(fù)性膠限制在2~3μm.,而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度,正性膠則無(wú)這方面的影響。在工藝發(fā)展的早期,負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位,隨著VLSIIC和2~5微米圖形尺寸的出現(xiàn),負(fù)膠已不能滿足要求。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率,但是薄負(fù)性膠會(huì)影響孔。同種厚度的正負(fù)膠,在對(duì)于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌,正膠難以企及。賽米萊德提供美國(guó)Futurrex的光刻膠的供應(yīng)與技術(shù)參數(shù)。
光刻膠市場(chǎng)
據(jù)統(tǒng)計(jì)資料顯示,2017年中國(guó)光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達(dá)到7.56萬(wàn)噸,較2016年增加0.29萬(wàn)噸,其中,中國(guó)本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬(wàn)噸,與7.99萬(wàn)噸的需求量差異較大,說(shuō)明我國(guó)供給能力還需提升。
國(guó)內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域,代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。
在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域,隨著汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展,會(huì)在一定程度上增加對(duì)G線、I線的需求,利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等,這些因素的穩(wěn)定性很重要。預(yù)計(jì)G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場(chǎng)份額,I線正膠將占據(jù)40%左右的市場(chǎng)份額,DUV等其他光刻膠約占10%市場(chǎng)份額,給予北京科華、蘇州瑞紅等國(guó)內(nèi)公司及美國(guó)futurrex的光刻膠較大市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
光刻膠的重要性
在北京化工大學(xué)理學(xué)院院長(zhǎng)聶俊眼里,我國(guó)雖然已成為世界半導(dǎo)體生產(chǎn)大國(guó),但面板產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)業(yè)鏈仍較為落后。光刻工藝重要性二光刻膠的曝光波長(zhǎng)由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13。目前,上游電子化學(xué)品(LCD用光刻膠)幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口,必須加快面板產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心材料基礎(chǔ)研究與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,才能支撐我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展及國(guó)際“地位”的確立。
“假如我們把光刻機(jī)比作一把菜刀,那么光刻膠就好比是要切割的菜,沒(méi)有高質(zhì)量的菜,即使有了鋒利的菜刀,也無(wú)法做出一道佳肴?!比涨?,江蘇博硯電子科技有限公司技術(shù)部章宇軒在接受科技日?qǐng)?bào)記者采訪時(shí)說(shuō)。
NR9-3000PYNR9 8000光刻膠價(jià)格
二、預(yù)烘和底膠涂覆(Pre-bake and Primer Vapor)
由于光刻膠中含有溶劑,所以對(duì)于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強(qiáng)光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進(jìn)行的。
底膠涂覆增強(qiáng)光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。