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正負光刻膠
正負光刻膠
光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的,故此叫正膠,利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠! 正性光刻膠比負性的精度要高,負膠顯影后圖形有漲縮,負性膠限制在2~3μm.,而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度,正性膠則無這方面的影響。在工藝發(fā)展的早期,負膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位,隨著VLSIIC和2~5微米圖形尺寸的出現(xiàn),負膠已不能滿足要求。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率,但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠,在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌,正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應(yīng)與技術(shù)參數(shù)。
光刻膠市場
據(jù)統(tǒng)計資料顯示,2017年中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達到7.56萬噸,較2016年增加0.29萬噸,其中,中國本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬噸,與7.99萬噸的需求量差異較大,說明我國供給能力還需提升。
國內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域,代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。
在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域,隨著汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展,會在一定程度上增加對G線、I線的需求,利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等,這些因素的穩(wěn)定性很重要。預(yù)計G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場份額,I線正膠將占據(jù)40%左右的市場份額,DUV等其他光刻膠約占10%市場份額,給予北京科華、蘇州瑞紅等國內(nèi)公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。
光刻膠的重要性
在北京化工大學(xué)理學(xué)院院長聶俊眼里,我國雖然已成為世界半導(dǎo)體生產(chǎn)大國,但面板產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)業(yè)鏈仍較為落后。光刻工藝重要性二光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13。目前,上游電子化學(xué)品(LCD用光刻膠)幾乎全部依賴進口,必須加快面板產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心材料基礎(chǔ)研究與產(chǎn)業(yè)化進程,才能支撐我國微電子產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展及國際“地位”的確立。
“假如我們把光刻機比作一把菜刀,那么光刻膠就好比是要切割的菜,沒有高質(zhì)量的菜,即使有了鋒利的菜刀,也無法做出一道佳肴?!比涨埃K博硯電子科技有限公司技術(shù)部章宇軒在接受科技日報記者采訪時說。
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二、預(yù)烘和底膠涂覆(Pre-bake and Primer Vapor)
由于光刻膠中含有溶劑,所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。
底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。