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光刻膠國際化發(fā)展

業(yè)內人士認為，按照現在“單打獨斗”的研發(fā)路徑，肯定不行。政府相關部門要加大產業(yè)政策的配套支持力度，應從加快完善整個產業(yè)鏈出發(fā)，定向梳理國內缺失的、產業(yè)依賴度高的關鍵核心電子化學品，要針對電子化學品開發(fā)難度高，檢測設備要求高的特點，組織匯聚一些優(yōu)勢企業(yè)和專家，形成一個產業(yè)聯(lián)盟，國家建立一個生產應用示范平臺，集中力量突破一些關鍵技術。隨著LCD出貨面積的持續(xù)增長，中國產業(yè)信息網預測，未來幾年全球LCD光刻膠的需求量增長速度為4%~6%。

江蘇博硯電子科技有限公司董事長宗健表示，光刻膠要真正實現國產化，難度很大。問題是國內缺乏生產光刻膠所需的原材料，致使現開發(fā)的產品碳分散工藝不成熟、碳漿材料不配套。而作為生產光刻膠重要的色漿，至今依賴日本。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。前道工藝出了問題，保證不了科研與生產，光刻膠國產化就遙遙無期。因此，必須通過科研單位、生產企業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新，盡快取得突破。

有專家提出，盡管國產光刻膠在面板一時用不起來，但政府還是要從政策上鼓勵國內普通面板的生產企業(yè)盡快用起來。只有在應用過程中才能發(fā)現問題，解決問題，不斷提升技術、工藝與產品水平，實現我國關鍵電子化學品材料的國產化，完善我國集成電路的產業(yè)鏈，滿足國家和重點產業(yè)的需求。光刻膠去除半導體器件制造技術中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。

光刻的工序

下面我們來詳細介紹一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性

基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發(fā)出來，例如：美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術、美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術（例Goldfinger Mach2清洗系統(tǒng)）、美國SSEC公司的雙面檫洗技術（例M3304 DSS清洗系統(tǒng)）、 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術達到了新的水平、以HF / O3為基礎的硅片化學清洗技術。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。

光刻膠

按感光樹脂的化學結構，光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯(lián)型光刻膠。在應用中，采用不同單體可以形成正、負圖案，并可在光刻過程中改變材料溶解性、抗蝕性等。

光聚合型光刻膠

烯類，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發(fā)單體聚合。

光分解型光刻膠

疊氮醌類化合物，經光照后,會發(fā)生光分解反應，由油溶性變?yōu)樗苄浴?

光交聯(lián)型光刻膠

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的雙鍵打開，鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網狀結構從而起到抗蝕作用。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。

按應用領域，光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導體光刻膠等。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術的水平。