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智能電容器價(jià)格是多少？

精度能達(dá)到0.5級(jí)，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次。

購買智能電容器，大家都想買到物美價(jià)廉的，哪里的智能電容器價(jià)格便宜同時(shí)質(zhì)量又有保證呢？

其實(shí)現(xiàn)在生產(chǎn)智能電容器的廠家有很多，市場競爭力很大，由此導(dǎo)致的智能電容器的價(jià)格很低但是質(zhì)量沒有保證，還有一些廠家生產(chǎn)的智能電容器質(zhì)量好，但是成本高價(jià)格高，很難兼顧價(jià)格與質(zhì)量。

在這里我們有一個(gè)很好的解決辦法，要買高品質(zhì)的智能電容器首要的是選擇品牌智能電容器公司，因?yàn)槠放浦悄茈娙萜鞴镜姆?wù)技術(shù)都是1流的，然后在這些品牌智能電容器公司中再選擇價(jià)格適中的智能電容器，這樣您就可以選擇到價(jià)格便宜同時(shí)質(zhì)量又有保證的智能電容器了。應(yīng)注意的是：在測試操作時(shí)，特別是在測較小容量的電容時(shí)，要反復(fù)調(diào)換被測電容引腳接觸A、B兩點(diǎn)，才能明顯地看到萬用表指針的擺動(dòng)。

使用薄膜電容需要注意什么

答應(yīng)電流

由于薄膜電容器內(nèi)部阻抗較低、故會(huì)有較大的充電電流，特別是在電源ON-OFF時(shí)，會(huì)有較高的脈沖電流，此外電

容器用于反演電路和開關(guān)電路等高頻電路時(shí)，會(huì)有較大的有效值電流。當(dāng)電流超越答應(yīng)值規(guī)模時(shí)，會(huì)導(dǎo)致容量下降和開

路，或有效值電流引起電容發(fā)熱，使介質(zhì)耐壓功能劣化而導(dǎo)致電容器擊穿，乃至冒煙、起火。

答應(yīng)電流根據(jù)擊穿模式分紅脈沖電流（峰值電流）和接連電流（有效值電流）來考慮，當(dāng)運(yùn)用時(shí)需承認(rèn)這兩個(gè)電流

都在答應(yīng)規(guī)模內(nèi)。

1.1各種波形的有效值換算聯(lián)系,不同的波形有效值按下面的公式計(jì)算

1.2答應(yīng)電流與運(yùn)用頻率

由于不同類型的薄膜電容器所運(yùn)用的介質(zhì)種類不同，其損耗頻率特性也不同，因而不同類型的薄膜電容器在相同作業(yè)

頻率之下答應(yīng)有效值電流也不相同。特別在用于高頻時(shí)損耗加大，如超出答應(yīng)電流值運(yùn)用，會(huì)導(dǎo)致?lián)舸盁煛⑵鸹穑?

電容器的工作原理

精度能達(dá)到0.5級(jí)，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次

簡略的電容器是由兩頭的極板和中心的絕緣電介質(zhì)（包含空氣）構(gòu)成的。通電后，極板帶電，構(gòu)成電壓（電勢差），可是由于中心的絕緣物質(zhì)，所以整個(gè)電容器是不導(dǎo)電的。不過，這樣的情況是在沒有超越電容器的臨界電壓（擊穿電壓）的條件條件下的。咱們知道，任何物質(zhì)都是相對(duì)絕緣的，當(dāng)物質(zhì)兩頭的電壓加大到必定程度后，物質(zhì)是都能夠?qū)щ姷?，咱們稱這個(gè)電壓叫擊穿電壓。電容也不破例，電容被擊穿后，就不是絕緣體了。低壓電容器體積小，重量輕：采用新材料作為介質(zhì)，體積、重量僅僅為老產(chǎn)品的1/4和1/5。不過在中學(xué)階段，這樣的電壓在電路中是見不到的，所以都是在擊穿電壓以下作業(yè)的，能夠被作為絕緣體看。 可是，在交流電路中，由于電流的方向是隨時(shí)刻成必定的函數(shù)關(guān)系改變的。而電容器充放電的進(jìn)程是有時(shí)刻的，這個(gè)時(shí)分，在極板間構(gòu)成改變的電場，而這個(gè)電場也是隨時(shí)刻改變的函數(shù)。實(shí)際上，電流是經(jīng)過場的方式在電容器間經(jīng)過的。

電容器的投切方式二

電子式無觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置（TSC）可控硅投切電容器，是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零觸發(fā)電路，檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號(hào)，可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會(huì)產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導(dǎo)通運(yùn)行時(shí)，可控硅結(jié)間會(huì)產(chǎn)生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個(gè)可控硅消耗功率約為22W。3、電容器的溫度特性：通常是以20℃基準(zhǔn)溫度的電容量與有關(guān)溫度的電容量的百分比表示。如以一個(gè)150KVAR電容柜來算，運(yùn)行時(shí)可控硅投切裝置消耗的功率可達(dá)600W，而且都變成熱量，使機(jī)柜溫度升高。同時(shí)可控硅有漏電流存在，當(dāng)未接電容時(shí)，即使可控硅未導(dǎo)通，其輸出端也是高電壓。優(yōu)點(diǎn)：無涌流，無觸點(diǎn)，使用壽命長、維修少，投切速度快（5ms內(nèi)）；缺點(diǎn)：價(jià)格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右