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。●初級(jí)與次級(jí)主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會(huì)更有利。●開關(guān)電源在MOSFET-D端點(diǎn)工作時(shí)候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點(diǎn)），在變壓器繞制時(shí)建議將他繞在變壓器的個(gè)繞組，并作為起點(diǎn)端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的。●VCC繞組在計(jì)算其圈數(shù)時(shí)盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因?yàn)閱?dòng)前電流是非常小的，所以這個(gè)電阻并沒有多少影響，幾乎可以忽略不計(jì)。

之前是犯了這個(gè)很低級(jí)的錯(cuò)誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。 20.電路設(shè)計(jì)，大電容或其它電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線需放在負(fù)極電位，這樣跳線可以不用穿套管。 這個(gè)可以節(jié)省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認(rèn)書或在BOM表要有描述，如67mil。理由：管控供應(yīng)商送貨一至性，避免供應(yīng)商偷工減料，影響產(chǎn)品效率 另人煩腦的就是供應(yīng)商做手腳，導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級(jí)能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。 22.電路設(shè)計(jì)，Snubber 電容，因?yàn)橛挟愐魡栴}，優(yōu)先使用Mylar電容 。


如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對(duì)應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機(jī)現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因?yàn)榇胖槿菀渍瓷蠚埩粑?55.發(fā)一個(gè)驗(yàn)證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測(cè)試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點(diǎn)。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個(gè)對(duì)比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計(jì)需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。


63.一個(gè)恒壓恒流帶轉(zhuǎn)燈的PCB設(shè)計(jì)走線方法和一個(gè)失敗案例。 PCB設(shè)計(jì)走線方法請(qǐng)看圖：(a) 地線的Layout原則如(1)(2)(3)綠線所示，R11的地和R14的地連接到芯片的地，再連接到EC4電解電容的地。注意不可連到變壓器的地，因?yàn)樽儔浩鞔渭?jí)A->D3->EC4->次級(jí)B形成功率環(huán)，如果ME4312芯片的地接到次級(jí)B線到EC4電容之間，受到較強(qiáng)的di/dt干擾會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的不穩(wěn)定等因素。 失敗案例： 造成的問題：轉(zhuǎn)燈時(shí)紅燈綠燈一起亮，并且紅燈綠交替閃爍。