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隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)材料的綜合性能要求也不斷提高,單一材料性能已不能滿(mǎn)足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。國(guó)內(nèi)真空離子鍍膜機(jī)經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,相對(duì)于國(guó)外鍍膜設(shè)備而言,在自動(dòng)化程度與技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步,但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和性方面尚需提升,設(shè)備仍依賴(lài)進(jìn)口。同時(shí)多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場(chǎng)存在供大于求的情況,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)較為激烈。
蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理:通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,稱(chēng)為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出,現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之知一。 蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后,加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。物理氣相沉積(PVD)是一種真空鍍膜工藝,許多人知道常用于提高切削刀具的性能。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子道以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)專(zhuān)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間(或決定于裝料量),并與源和基片的距離有關(guān)。對(duì)于大面積鍍膜,常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的屬距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1~0.2電子伏。簡(jiǎn)言之,蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理就是真空室內(nèi)利用電阻加熱法,把緊緊貼在電阻絲上面的金屬絲熔融汽化,汽化了的金屬分子沉積于基片上,而獲得光滑反射率的膜層,達(dá)到裝飾美化物品表面的目的。
真空鍍膜設(shè)備,主要指一類(lèi)需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜,具體包括很多種類(lèi),包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù),是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。
真空鍍膜技術(shù)及設(shè)備擁有十分廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展前景。未來(lái)真空鍍膜設(shè)備行業(yè)等制造業(yè)將以信息化融合為,依靠技術(shù)進(jìn)步,更加注重技術(shù)能力積累。小型氣相沉積設(shè)備