封裝用IGBT測試儀現(xiàn)貨供應貨真價實 華科IGBT靜態(tài)參數

華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術規(guī)格書的要求外，在其設計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。IGBT測試裝置技術要求 （1）設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數測試。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 國家電器設備安全技術規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設備結構總技術條件 GB/T 2423 電工電子產品環(huán)境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

什么是大功率半導體元件？其用途為何？

凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。2反向恢復技術條件 測試參數： 1、Irr(反向恢復電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr(反向恢復電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。

欲測知元件老化，所須提供的測量范圍為何？ 當大功率元件在作導通參數的測試時，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時，在作關閉參數的漏電流測試時，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當這兩個參數通過后，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數的測量，以分辨其中的優(yōu)劣?，F(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩(wěn)定性、可靠性。建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。

測試參數多且完整、應用領域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關閉」電流的漏電流，就可知道大功半導體有沒有老化的現(xiàn)象。

?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結果與數值。

?適用的半導體元件種類多，尤其能測大功率元件。

?用戶能確實掌握新采購元件的質量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計算機控制、快速的設定參數。

?適用于實驗室和老化篩選的測試。

?操作非常簡單、速度快。

?完全計算機自動判斷、自動比對。