封裝用IGBT測試儀廠家品質(zhì)售后無憂,華科便攜式測試臺

14）工控機及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機：基于Labview人機界面

?數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式；所檢測數(shù)據(jù)可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機處理后可自動列表顯示相應(yīng)測試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測部分內(nèi)容可擴展

9）尖峰抑制電容 用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 11）動態(tài)測試?yán)m(xù)流二極管 用于防止測試過程中的過電壓?？梢苿有蛢x器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結(jié)果與數(shù)值。 ?反向電壓 8000V(2只串聯(lián)) ?-di/dt大于2000A/μs ?通態(tài)電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復(fù)時間小于2μs ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 12）安全工作區(qū)測試?yán)m(xù)流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯(lián)) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通態(tài)電流 1200A ?壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復(fù)時間 小于2μS ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測試電路） ?滿足表格9測試參數(shù)要求 ?低壓開關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對上圖電路) ?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA；1V -30V～30VQg柵極電荷 400~20000nC Ig:0～50A±3%±0。 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V