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基于硅還是SiC的MOSFET通斷,都必須慎重考慮諸多相關細

無論是基于硅還是 SiC 的 MOSFET 通斷，都必須慎重考慮諸多相關細節(jié)：柵極驅動電壓、電流、壓擺率、瞬態(tài)特性、過沖、輸入電容、電感以及許多其他靜態(tài)和動態(tài)因素。柵極驅動器可用于連接控制處理器輸出的相對簡單的低電平信號與開關器件的柵極輸入。這種特殊電源轉換器的輸出與功率器件的負載要求相對應。

對于半橋或全橋等常用配置下的一對開關器件，驅動器模塊還須確保和低端器件不會同時導通，即使只是瞬間，因為這會導致電源軌接地。此外，在某些功率器件應用中，功率器件路徑中單條或兩條都必須與系統(tǒng)地進行電氣隔離，同時仍需為其提供相應的性能。

硅穩(wěn)壓管并聯(lián)穩(wěn)壓電路元件選擇的第三步

對于并聯(lián)穩(wěn)壓電路而言，限流電阻R2是整個電路工作好壞的關鍵。R2選擇大，穩(wěn)壓效果較好，但功耗大(因為電阻功耗P=I2R)，同時要求輸入電壓增大，電源的效率就比較低。具體計算方法可參考硅穩(wěn)壓管并聯(lián)穩(wěn)壓電路元件選擇的第三步。整個電路的穩(wěn)定度需要根據(jù)實際電路的要求來確定，如果穩(wěn)定度不夠，可以適當增加R1和UI，還可以選擇β值較大、漏電流較小的調(diào)整管。為保證穩(wěn)壓電源的效率，輸入電壓一般不要選擇過高，以不超過2 UI為宜。

隨著供電技術的飛速發(fā)展和產(chǎn)品應用要求的不斷提高，大功率直流電源得到了廣泛的應用。大功率直流電源是一種以單片機為核心，不需要切斷負載在線調(diào)節(jié)的連續(xù)可調(diào)直流電源。溫度：確定電源使用的環(huán)境溫度，選擇適合的開關電源模塊。大功率直流電源廠家一般給出的溫度是電源模塊的殼溫，如-25— 85度，那么85度表示電源外殼溫度可以達到85度，如果超過85度，電源就可能進入保護狀態(tài)或損壞。在選擇電源時一定要考慮自身的環(huán)境溫度和電源的工作效率，溫升就低，反之效率低溫升就高。