磁控濺射鍍膜機誠信企業(yè)

直流磁控濺射技術

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀開發(fā)出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。

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磁控濺射鍍膜機

由于ITO 薄膜的導電屬于n 型半導體性質(zhì),即其導電機制為還原態(tài)In2O3 放出兩個電子,成為氧空穴載流子和In3 ,被固溶的四價摻錫置換后放出一個電子成為電子載流子。顯然,不論哪一種導電機制,載流子密度均與濺射成膜時的氧含量有很大關系。隨著氧含量的增加,當膜的組分接近化學配比時,遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。這兩種效應的綜合結果是膜的光電性能隨氧含量的變化呈極值現(xiàn)象。對應極值的氧含量直接決定著“工藝窗口”的寬窄,它與成膜時的基底溫度、氣流量及膜的沉積速率等參數(shù)有關。新技術、新設備、新工藝公司新開發(fā)的磁控、蒸發(fā)多用鍍膜機，配用改進型高真空抽氣系統(tǒng)及全自動控制系統(tǒng)，抽速快、效率高、操作簡單、工作可靠。為便于控制氧含量,我們采用混合比為85∶15 的氧混合氣代替純氧,氣體噴孔的設計保證了基底各處氧分子流場的均勻性。

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磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應氣體）； （b）反應濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。不是，在生產(chǎn)中最不希望出現(xiàn)設備故障，把日常維護保養(yǎng)和定期維護保養(yǎng)都做好了，不僅延長了設備的使用壽命，還減少了運行故障，提高生產(chǎn)效率。

（2）新型反應濺射技術 筆者對現(xiàn)有反應濺射技術方案進行了改進，開發(fā)出新的反應濺射技術，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射鍍膜機的優(yōu)勢

1.實用性：設備集成度高，結構緊湊，占地面積小，可以滿足客戶實驗室空間不足的苛刻條件；通過更換設備上下法蘭可以實現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)一機多用；

2.方便性：設備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接線及安裝調(diào)試簡單，既保證了設備使用方便又保證了設備的整潔；

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