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發(fā)布時(shí)間:2020-08-24 04:47  



















光電效應(yīng)當(dāng)電子從外界獲得能量時(shí)將會(huì)跳到較高的能階,獲得的能量越多跳的能階也越高,電子處在較高的能階時(shí)并不穩(wěn)定,很快就會(huì)把獲得的能量釋放回到原來(lái)的能階。如果電子獲得的能量夠高就擺脫原子核的束縛成為自由電子,電子空出來(lái)的位置則稱(chēng)為空穴。自由電子可能會(huì)因?yàn)槟Σ粱蚺鲎驳纫蛩負(fù)p失能量,后受到空穴的吸引而復(fù)合。N型半導(dǎo)體中自由電子濃度較高,因此自由電子由N型半體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散,同樣的空穴會(huì)由P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散。例如,硅的外層電子要成為自由電子需要吸收1.1ev的能量,當(dāng)硅外層電子吸收到的光能量超過(guò)1.1ev時(shí)將會(huì)產(chǎn)生自由電子及空穴


















通過(guò)PN結(jié)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能。太陽(yáng)能電池對(duì)光電轉(zhuǎn)換材料的要求是轉(zhuǎn)換、能制成大面積的器件,以便更好地吸收太陽(yáng)光。已使用的光電轉(zhuǎn)換材料以單晶硅、多晶硅和非晶硅為主。用單晶硅制作的太陽(yáng)能電池,轉(zhuǎn)換達(dá)20%,但其成本高,主要用于空間技術(shù)。多晶硅薄片制成的太陽(yáng)能電池,雖然光電轉(zhuǎn)換效率不高(約10%),但價(jià)格低廉,已獲得大量應(yīng)用。1ev小很多,在室溫超過(guò)200度k時(shí)即可使所有雜質(zhì)產(chǎn)生自由電子,同樣在硅中加入少量的三價(jià)原子可以提高空穴濃度。此外,化合物半導(dǎo)體材料、非晶硅薄膜作為光電轉(zhuǎn)換材料,也得到研究和應(yīng)用。



















但和普通二極管不同,光電二極管是在反向電壓下工作的。它的暗電流很小,只有0-1微安左右。在光線照射下產(chǎn)生的電子----空穴對(duì)叫光生載流子,它們參加導(dǎo)電會(huì)增大反向飽和電流。光生載流子的數(shù)量與光強(qiáng)度有關(guān),因此,反向飽和電流會(huì)隨著光強(qiáng)的變化而變化,從而可以把光信號(hào)的變化轉(zhuǎn)為電流及電壓的變化。光伏效應(yīng)在19世紀(jì)即被發(fā)現(xiàn),早期用來(lái)制造硒光電池,直到晶體管發(fā)明后半導(dǎo)體特性及相關(guān)技術(shù)才逐漸成熟,使太陽(yáng)光電池的制造變?yōu)榭赡?。光電二極管主要用于近紅外探測(cè)器及光電轉(zhuǎn)換的自動(dòng)控制儀器中,還可以作為光導(dǎo)纖維通信的接1收器件。





















應(yīng)用隨著傳統(tǒng)燃料能源的減少以及對(duì)環(huán)境造成的危害也越來(lái)越嚴(yán)重 ,能源問(wèn)題日益成為制約國(guó)際社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,越來(lái)越多的國(guó)家制定了大力發(fā)展太陽(yáng)能的計(jì)劃。例如,美國(guó)的“ 光伏建筑計(jì)劃”、歐洲的“百萬(wàn)屋頂光伏計(jì)劃” ,日本的“朝日計(jì)劃 ” ,以及我國(guó)發(fā)展的“光明工程 ”等都極大地促進(jìn)了太陽(yáng)能的發(fā)展。當(dāng)前太陽(yáng)能電池產(chǎn)品類(lèi)型主要有單晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半導(dǎo)體和疊層太陽(yáng)能電池等,主要應(yīng)用在以下領(lǐng)域。光電檢測(cè)器件----用作近紅外探測(cè)器、光電讀出、光電耦合、激光準(zhǔn)直、電影還音等設(shè)備的光感受器。


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