江蘇臥式真空腔體加工中心的行業(yè)須知「科創(chuàng)真空」

半導(dǎo)體真空腔體的應(yīng)用

中國(guó)半導(dǎo)體真空腔體市場(chǎng)近幾年快速發(fā)展,越來越多的公司也表達(dá)了進(jìn)入芯片領(lǐng)域的興趣.以存儲(chǔ)芯片為例,以前中國(guó)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片完全靠進(jìn)口,今年福建晉華集成電路的內(nèi)存生產(chǎn)線有望投產(chǎn),另外長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司也在建設(shè)內(nèi)存和閃存芯片生產(chǎn)線.格力、康佳等傳統(tǒng)家電企業(yè)也表示,將進(jìn)入芯片領(lǐng)域.

據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)報(bào)告顯示,中國(guó)目前正在天津、西安、北京、上海等16個(gè)地區(qū)打造25個(gè)FAB建設(shè)項(xiàng)目,福建晉華集成電路、長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司等企業(yè)技術(shù)水平雖不及韓國(guó),但均已投入芯片量產(chǎn).報(bào)告預(yù)測(cè),今年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)118億美元,實(shí)現(xiàn)同比43.9%的增長(zhǎng),并且明年市場(chǎng)規(guī)模有望擴(kuò)大至173億美元,增長(zhǎng)46.6%,成為大市場(chǎng).而同一時(shí)期內(nèi)韓國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模從179.6億美元減少至163億美元,減幅為9.2%.中國(guó)超越韓國(guó)成為全球很大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng).

真空腔體

真空技術(shù)主要包括真空獲得、真空測(cè)量、真空檢漏和真空應(yīng)用四個(gè)方面.在真空技術(shù)發(fā)展中,這四個(gè)方面的技術(shù)是相互促進(jìn)的.

隨著真空獲得技術(shù)的發(fā)展,真空應(yīng)用日漸擴(kuò)大到工業(yè)和科學(xué)研究的各個(gè)方面.真空應(yīng)用是指利用稀薄氣體的物理環(huán)境完成某些特定任務(wù).有些是利用這種環(huán)境制造產(chǎn)品或設(shè)備,如燈泡、電子管和等. 這些產(chǎn)品在使用期間始終保持真空,而另一些則只是把真空當(dāng)作生產(chǎn)中的一個(gè)步驟,產(chǎn)品在大氣環(huán)境下使用,如真空鍍膜、真空干燥和真空浸漬等.

真空的應(yīng)用范圍極廣,主要分為低真空、中真空、高真空和超高真空應(yīng)用.

影響真空絕緣水平的主要因素

空隙間隔

真空的擊穿電壓與空隙間隔有著比較清晰的關(guān)系。試驗(yàn)標(biāo)明，當(dāng)空隙間隔較小時(shí)，擊穿電壓跟著空隙間隔的添加而線性添加，但跟著空隙間隔的進(jìn)一步添加，擊穿電壓的添加減緩，即真空空隙發(fā)作擊穿的電場(chǎng)強(qiáng)度跟著空隙間隔的添加而減小。當(dāng)空隙到達(dá)一定的長(zhǎng)度后，單靠添加空隙間隔進(jìn)步耐壓水平已經(jīng)好不容易，這時(shí)選用多斷口反而比單斷口有利。真空設(shè)備常用于脫氣，焊接，制備薄膜涂層，生產(chǎn)半導(dǎo)體/晶圓、光學(xué)器件以及特殊材料等。

一般以為短空隙下的穿主要是場(chǎng)致發(fā)射引起的，而長(zhǎng)空隙下的的穿則主要是微粒效應(yīng)所致。

真空度

顯現(xiàn)了空隙擊穿電壓和氣體壓強(qiáng)之間的關(guān)系。由圖可以看到真空度高于10-2Pa時(shí)，擊穿電壓基本上不再跟著氣體壓力的下降而增大，因?yàn)闅怏w分子碰撞游離現(xiàn)象已不復(fù)興效果。當(dāng)氣體壓力從10-2Pa逐步升高時(shí)(真空度下降)，擊穿強(qiáng)度逐步下降，以后又隨氣壓的而。從曲線上可以看出真空度高于10-2Pa時(shí)其耐壓強(qiáng)度基本上堅(jiān)持不變。這就標(biāo)明，真空滅弧室的真空度在10-2Pa以上時(shí)完全可以滿足正常的運(yùn)用需求。使用真空中氣輝光放電構(gòu)成等離子體，塵土在等離子體中附著電荷，在電場(chǎng)力效果下被驅(qū)向電極外表而集。