高鐵專用IGBT測試儀加工源頭直供廠家「多圖」

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動(dòng)態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲(chǔ)存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計(jì)溫度: 40℃以下)；

5)震動(dòng)：抗能力按7級(jí)設(shè)防，地面抗震動(dòng)能力≤0.5g；

6)防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

1）可調(diào)充電電壓源

用來給電容器充電，實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動(dòng)態(tài)測試、短路電流的測試需求。

?輸入電壓 380V±10%

?頻率 50HZ；

?輸出電壓 500～1500V可調(diào)（可多個(gè)電源組成）

?輸出電流 10A；

?電壓控制精度 1%

?電壓調(diào)整率 <0.1%；

?紋波電壓 <1%；

?工作溫度 室溫～40℃；

?保護(hù) 有過壓、過流、短路保護(hù)功能。

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。功率模塊的VCE-IC特性曲線會(huì)隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會(huì)逐漸劣化。