肖特基二極管符號(hào)ASEMI官網(wǎng)【強(qiáng)元芯電子】

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ASEMI肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

常見(jiàn)的肖特基有貼片肖特基二極管與直插型肖特基二極管。

首先一起來(lái)看一下貼片型肖特基二極管：SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，耐壓頂多達(dá)到約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管(FRED)和超快速恢復(fù)二極管(UFRD)。

肖特基二極管

      優(yōu)點(diǎn)：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復(fù)時(shí)間極短:        可達(dá)5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點(diǎn)：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)

客戶的滿意是我們追求的目標(biāo)

MUR2020CT內(nèi)部100%采用俄羅斯進(jìn)口晶圓-Mikron芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了MUR2020CT整流電流穩(wěn)定在20A，反向耐壓穩(wěn)定在200V； 同時(shí)ASEMI采用先進(jìn)的冠魁設(shè)備及臺(tái)灣出口的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，將MUR2020CT的VF值完美的控制在1.5V一下，超低的VF值能夠減少耗能量，也正符合當(dāng)今時(shí)代節(jié)能環(huán)保的重要指標(biāo)，即使長(zhǎng)時(shí)間工作也不發(fā)熱，而我們的定價(jià)也都是非常低，所以客戶說(shuō)我們的MUR2020CT性價(jià)比是真正好的。