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?ASEMI品牌肖特基二極管MBR40100CT
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ASEMI品牌肖特基二極管MBR40100CT主要應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用,或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。MBR40100CT這款肖特基二極管它的芯片是采用130MIL的大芯片,電流40A,耐壓:100V;正向電壓為0.84V,正向電流為40A,反向電壓為100V,它的浪涌電流為160A,漏電流為5uA。
ASEMI肖特基二極管全部進(jìn)口先進(jìn)技術(shù)的芯片材料,從根本上保證產(chǎn)品的性能,內(nèi)置芯片全部是耐高抗沖擊的技術(shù)要求,確保開機(jī)瞬間的大電流與電路電壓疊加等因素影響時(shí)依然能正常工作。
?ASEMI低壓降肖特基15V45
ASEMI半導(dǎo)體15V45是一款采用277封裝的低壓降肖特基產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)對(duì)于體積大幅壓縮,有效縮小應(yīng)用產(chǎn)品的體積空間。ASEMI半導(dǎo)體15V45壓降控制在0.38V的壓降是應(yīng)用在高頻率快速充電器產(chǎn)品的較好選擇。目前市面上已經(jīng)有華為、小米等公司的充電器產(chǎn)品采用此款封裝的低壓降肖特基二極管成功應(yīng)用案例。高超的品質(zhì)工藝與電性表現(xiàn)使得ASEMI半導(dǎo)體15V45低壓降二極管銷量行業(yè)持續(xù)高增。
肖特基二極管原理?ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT
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ASEMI肖特基二極管期初目的是為提高電源效率,從而研制出了普通肖特基二極管;現(xiàn)如今,為充分發(fā)揮挖掘SKY的低VF效能而開發(fā)出的低壓降肖特基二極管。那我們今天在這里也認(rèn)識(shí)到了低壓降肖特基二極管,可謂升級(jí)版的低壓降肖特基二極管,超值特性、超低VF、高溫漏電小。
ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用。臺(tái)灣原裝 ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT 采用俄羅斯Mikron芯片,28條臺(tái)灣健鼎測(cè)試線。電性參數(shù)為40A100V,內(nèi)含芯片個(gè)數(shù)有2個(gè),芯片尺寸達(dá)130MIL.
ASEMI肖特基MBR60200PT
ASEMI肖特基MBR60200PT的外觀,本節(jié)我們以它為列,通過講解其各項(xiàng)參數(shù),會(huì)讓你對(duì)整個(gè)肖特基產(chǎn)品系列有一個(gè)更深入的了解,為了更直觀方便的說明,我們以MBR60200PT的規(guī)格書為模板進(jìn)行解說:
下圖截取的就是肖特基MBR60200PT參數(shù)頁面文檔,我們會(huì)自上而下逐條講解每個(gè)參數(shù)所代表的意義及作用
Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重復(fù)峰值電壓
Average Rectified Forward Current ——平均整流正向電流
Typical Thermal Resistance (per leg)——典型熱阻(每條腿)
Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌電流
Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重復(fù)浪涌電流
Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——電壓變化率(額定VR)
Operating Junction Temperature—— 工作溫度
Storage Temperature ——儲(chǔ)存溫度