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YMV高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜采用計(jì)算機(jī)控制技術(shù)和電力電子技術(shù)相結(jié)合,主回路的開(kāi)關(guān)元件采用高壓大功率晶閘管,通過(guò)控制晶閘管來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出電壓,起動(dòng)電流根據(jù)起動(dòng)條件得到控制,實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)的平穩(wěn)起停。
YMV高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜通過(guò)控制晶閘管可降低加在電機(jī)上的電壓,然后通過(guò)慢慢地控制加在電機(jī)上的電壓和電流平滑地增加電機(jī)轉(zhuǎn)矩,直到電機(jī)加速到全速運(yùn)行,可以有效減小起動(dòng)電流,同時(shí)晶閘管靜態(tài)、動(dòng)態(tài)均壓保護(hù)措施,應(yīng)具有技術(shù)先進(jìn)、結(jié)構(gòu)緊湊、安全可靠、維護(hù)方便等特點(diǎn)。可控硅高壓組件是由多個(gè)可控硅串并聯(lián)組成的,數(shù)量根據(jù)用戶電機(jī)電壓來(lái)決定。
YMV高壓固態(tài)軟起動(dòng)器應(yīng)符合下述使用條件與安裝方法,否則會(huì)影響使用壽命。
1、電源電壓:交流2.3KV~10KV,50/6OHz;
2、適配電機(jī):高壓異步(同步)電動(dòng)機(jī)200~18500KW.
3、起動(dòng)頻率:每小時(shí)不超過(guò)4次;
4、環(huán)境溫度:-25~ 50℃;
5、符合標(biāo)準(zhǔn):IEC、EN、NEMA、CSA、IEEE
6、濕環(huán)境溫度:5%~95%非凝結(jié);
7、使用場(chǎng)合:無(wú)金屬屑、導(dǎo)電塵埃、腐蝕氣體及劇烈震動(dòng)的場(chǎng)所;
8、防護(hù)等級(jí):IP00 IP32 IP54標(biāo)準(zhǔn)可選,可滿足于一般使用場(chǎng)合;
9、海拔高度:海拔超過(guò)3000米以下,如海拔超過(guò),則適當(dāng)提高軟起動(dòng)的功率。
高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜由湖北億信華聯(lián)機(jī)電設(shè)備制造有限公司專業(yè)生產(chǎn),主回路采用晶閘管,通過(guò)逐步改變晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)抬升電壓,完成啟動(dòng)過(guò)程,這是軟啟動(dòng)器的基本原理。目前在低壓軟啟動(dòng)器市場(chǎng),產(chǎn)品繁多,但是高壓軟啟動(dòng)器產(chǎn)品還是比較少。
高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器基本原理一樣,但是高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器相比,有些地方存在著其特殊性:
1.高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜在高壓環(huán)境下工作,各種電氣元器件的絕緣性能一定要好,電子芯片的抗干擾能力要強(qiáng)。高壓軟起動(dòng)柜組成電氣柜時(shí),電氣元器件的布局以及與高壓軟啟動(dòng)器與其它電氣設(shè)備的連接也是非常重要的。
2.高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜必須有一個(gè)的控制核心,能對(duì)信號(hào)進(jìn)行及時(shí)和快速地處理。因此這個(gè)控制核心一般采用的DSP芯片,而不是低壓軟啟動(dòng)器的普通單片機(jī)芯。低壓軟啟動(dòng)器主回路由三組反并聯(lián)的晶閘管組成。停車方式:自由停車、軟停車、制動(dòng)剎車、軟聽(tīng) 制動(dòng)剎車,還有點(diǎn)動(dòng)功能。而在高壓軟啟動(dòng)器中,由于目前單只高壓晶閘管的耐壓能力不夠,所以必須由多個(gè)高壓晶閘管串聯(lián)進(jìn)行分壓。但是每個(gè)晶閘管的性能參數(shù)沒(méi)有完全一致。晶閘管參數(shù)的不一致,會(huì)導(dǎo)致晶閘管開(kāi)通時(shí)間不一致,從而導(dǎo)致晶閘管的損壞。因此在晶閘管的選配上,必須保證每一相的晶閘管參數(shù)盡可能地一致,并且每一相晶閘管的RC濾波電路的元件參數(shù)盡可能一致。 高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜的一個(gè)難點(diǎn)在晶閘管的觸發(fā)上。由于主回路有多個(gè)晶閘管,每個(gè)晶閘管需要一塊觸發(fā)板來(lái)完成觸發(fā)。