封裝用IGBT測(cè)試儀價(jià)格貨真價(jià)實(shí)「多圖」

（2）主要技術(shù)參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測(cè)試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

如何檢測(cè)元件有老化的現(xiàn)象？ 半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測(cè)元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測(cè)量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。將量測(cè)的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。 何謂半導(dǎo)體元件的參數(shù)？對(duì)元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)立刻燒毀或造成性的損壞?？蛇x購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2KV。

其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 關(guān)斷時(shí)間采用單脈沖測(cè)試，由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測(cè)試要求值，開關(guān)被測(cè)器件DUT一次，被測(cè)器件的開沖持續(xù)時(shí)間必須保證DUT完全飽和，同時(shí)監(jiān)測(cè)集電極電流IC、柵極-發(fā)射極電壓VGE和集電極-發(fā)射極電壓VCE，記錄下被測(cè)器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測(cè)試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對(duì)測(cè)試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，后顯示測(cè)試結(jié)果。同一測(cè)試條件的器件的測(cè)試曲線可以在軟件內(nèi)進(jìn)行對(duì)比，新測(cè)曲線可以與原測(cè)曲線進(jìn)行對(duì)比。

13）被測(cè)器件旁路開關(guān) 被測(cè)安全接地開關(guān)，設(shè)備不運(yùn)行時(shí)，被測(cè)接地。 ?電流能力 DC 50A ?測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：「開啟」電流壓降，「關(guān)閉」電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒有老化的現(xiàn)象。隔離耐壓 15kV ?響應(yīng)時(shí)間 150ms ?工作方式 氣動(dòng)控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 14）工控機(jī)及操作系統(tǒng) 用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下： ?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱； ?支持ATX母板； ?CPΜ：INTEL雙核； ?主板：研華SIMB； ?硬盤：1TB；內(nèi)存4G； ?3個(gè)5.25”和1個(gè)3.5”外部驅(qū)動(dòng)器； ?集成VGA顯示接口、4個(gè)PCI接口、6個(gè)串口、6個(gè)ΜSB接口等。 ?西門子PLC邏輯控制