阿勒泰地區(qū)污水管道高分子氟硅無(wú)需噴砂規(guī)格尺寸「金芝麻環(huán)?！?/h1>

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SiC所具有的高導(dǎo)熱性、高強(qiáng)度、熱膨脹低、與爐渣難以反映等優(yōu)良特性被作為爐渣反應(yīng)和高溫剝落嚴(yán)重部位耐火材料的主要原料使用。

隨著SiC加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。SiC在高溫下的氧化是SiC質(zhì)耐火材料損毀室溫主要原因，根據(jù)熱力學(xué)計(jì)算，SiC在高溫下氧化氣氛下的不穩(wěn)定是十分顯著的，然后它卻可以在1600℃的氧化氣氛下長(zhǎng)期使用，著很大程度上是由于形成SiO2保護(hù)膜的結(jié)果。

第三代半導(dǎo)體材料，主要代表碳化硅和氮化相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料而言，在高溫、高壓、高頻的工作環(huán)境下有著明顯的優(yōu)勢(shì)。

碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，直到1955年才開(kāi)發(fā)出生長(zhǎng)碳化硅晶體材料的方法，1987年商業(yè)化生產(chǎn)的的碳化硅才進(jìn)入市場(chǎng)，21世紀(jì)后碳化硅的商業(yè)應(yīng)用才算鋪開(kāi)。

與硅相比，碳化硅具有更高的禁帶寬度，禁帶寬度越寬，臨界擊穿電壓越大，高電壓下可以減少所需器件數(shù)目。具有高飽和電子飄逸速度，制作的元件開(kāi)關(guān)速度大約是硅的3-10倍，高壓條件下能高頻操作，所需的驅(qū)動(dòng)功率小，電路能量損耗低。具有高熱導(dǎo)率，可減少所需的冷卻系統(tǒng)，也更適用于高功率場(chǎng)景下的使用，一般的硅半導(dǎo)體器件只能在100℃以下正常運(yùn)行，器件雖然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作溫度可達(dá)600℃，具有很強(qiáng)的耐熱性。并且混合SIC器件體積更小，工作損耗的降低以及工作溫度的上升使得集成度提高，體積減小。

硅化可在普通大氣壓的碳管爐內(nèi)進(jìn)行，硅化溫度必須大于2000℃。如果在66.65MPa的真空爐中進(jìn)行，則硅化溫度可降到1500~1600℃。產(chǎn)生硅蒸氣所用的硅粉顆粒尺寸為0.991~4.699mm。在大氣壓力下硅化時(shí)，硅粉可裝在石墨坩堝里。在真空下硅化時(shí)，則應(yīng)裝在氮化硼(BN)坩堝里，因?yàn)榇藭r(shí)硅會(huì)滲入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩堝，而氮化硼與硅不潤(rùn)濕。硅化所需的時(shí)間依據(jù)硅化的溫度及在該溫度下的硅的揮發(fā)量的不同而變化。在硅化完成后，坩堝內(nèi)通常不應(yīng)該再有硅殘留而都蒸發(fā)了。由于蒸發(fā)而附著在制品表面上的硅可用熱的處理除去。自結(jié)合碳化硅制品的強(qiáng)度為一般碳化硅制品的7~10倍，且能力提高了。

目前，吸波材料在各個(gè)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。尤其在領(lǐng)域，為了加強(qiáng)自身建設(shè)，通常將吸波材料涂層應(yīng)用于戰(zhàn)斗表面，以達(dá)到“隱身”的目的。吸波材料在裝備力量與電子科技中占據(jù)重要地位。

在國(guó)際上，美國(guó)對(duì)吸波材料作為“隱身材料”的應(yīng)用已經(jīng)較為成熟，例如，美國(guó)將吸波性能良好的碳化硅材料作為涂層涂于軍事表面，減弱目標(biāo)向外散發(fā)的雷達(dá)特征與紅外線等，使得敵軍無(wú)法檢測(cè)到目標(biāo)，從而在中占據(jù)優(yōu)勢(shì) [1-2]。在海灣和科索沃，人們都可以看到有關(guān)“隱身材料”的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。因此，吸波材料作為“隱身”技術(shù)的應(yīng)用越來(lái)越重要，為增強(qiáng)我國(guó)軍事實(shí)力，建設(shè)事業(yè)，必須對(duì)吸波材料進(jìn)行深入研究與應(yīng)用。

較為常見(jiàn)的吸波材料為碳化硅，可以用于一些電子設(shè)備、屏蔽設(shè)備等，尤其在信息化中，可以減弱目標(biāo)的光電特征、紅外信號(hào)等 [3]。碳化硅作為吸波材料，分為不同的類型，如鐵磁金屬微粉吸波材料、鐵氧體吸波材料、納米吸波材料、多晶鐵纖維吸波材料、陶瓷吸波材料、導(dǎo)電高聚物吸波材料。本文就通過(guò)試驗(yàn)研究碳化硅涂層的吸波性能，以期為事業(yè)作出貢獻(xiàn)。