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肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士(Walter Hermann Schottky,1886年7月23日—1976年3月4日)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管。
從誕生之初,肖特基二極管就注定了其不平凡的一生,從低頻到高頻,從高損耗到低損耗,肖特基二極管在其發(fā)展上走出了一步一步的不平凡!ASEMI在21世紀(jì)延續(xù)了這個(gè)不平凡,將高頻率低耗損環(huán)保節(jié)能的產(chǎn)品引入并發(fā)展!
ASEMI肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然,金屬A中沒(méi)有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
ASEMI肖特基二極管參數(shù)的研發(fā)拓展:
ASEMI研制的MBR60100PT MBR60150PT MBR60200PT,是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設(shè)計(jì)的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD,起始電壓比業(yè)界居先進(jìn)水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V),導(dǎo)通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ),導(dǎo)通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。
肖特基二極管屬于低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件,其反向恢復(fù)時(shí)間可小到幾納秒,正向?qū)▔航祪H0.4V左右,而整流電流卻可達(dá)到幾千安。
肖特基二極管與PN結(jié)二極管在構(gòu)造原理上有一定區(qū)別。這種管子的缺點(diǎn)是反向耐壓較低,一般不超過(guò)100V,適宜在低電壓、大電流的條件下工作。液晶彩電DC-DC變換器中的二極管一般采用的就是肖特基二極管。
需要說(shuō)明的是,很多肖特基二極管和快恢復(fù)二極管有三只引腳,外形酷似晶體管。其實(shí),這是一種內(nèi)含兩個(gè)肖特基二極管的復(fù)合二極管,其中一只腳為公共正極,另兩只腳分別為兩只二極管的負(fù)極,可用萬(wàn)用表方便地進(jìn)行判斷,