無錫超高壓直插瓷片電容12KV好貨源好價格 迪一電子源頭工廠供貨

同方迪一分享瓷片電容和獨石電容作用的區(qū)別

獨瓷片電容和獨石電容的工作原理是相近的，在一些要求不是很嚴謹?shù)膱龊现袃烧呤强梢曰ハ嗵鎿Q的。當然，替換時間不可過長，須要盡快更換同等同容量的電容。

瓷片電容器根據(jù)所使用的材料，可分為三類，一類為溫度補償類，二類為高介電常數(shù)類，三類為半導體類，主要用于電子整機中的振蕩、耦合、濾波、旁路電路中。瓷片電容的制作工藝是比較特殊的，采用薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。相對而言，瓷片電容體積小，價格低，耐壓高，頻率高，因此在很多便攜電子產(chǎn)品中的應用是廣泛的。

獨石電容的體積比CBB更小，其他同CBB。經(jīng)常會被應用在模擬、數(shù)字電路信號旁路、濾波，音響。獨石電容電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。對于一些要求高或者是要求精密度的產(chǎn)品中都是可以采用獨石電容的。獨石電容比較穩(wěn)定，問溫漂系數(shù)小，電容值可以做到1uF，等效直流電阻小，價格稍貴。

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對電參數(shù)惡化的影響。空氣中溫度過高， 會使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降, 對于半密封結構電容器來說，水分會滲透到電容器的介質內部使電容器介質的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫，高濕環(huán)境對瓷片電容的損壞影響較大。

二:銀離子的遷移。無機介質電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內部的水分子產(chǎn)生電解。產(chǎn)生氧化反應，銀離子與氫氧根離子結合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電極反應，銀離子遷移不僅發(fā)生在無機介質表面，還擴散到無機介質內部，引起漏電流增大，嚴重時會使兩個銀電極之間完全短路，導致高壓瓷片電容損壞或擊穿。

三:有的高壓瓷片電容，在運用測試操作時，電容器投入時的電流過大，無任何無電壓保護措施，也無串聯(lián)電抗器，使電容器過熱，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁，也會影響陶瓷電容損壞，甚至炸掉。

四:從單顆瓷片電容分析,電容碰到了強大的電流，導致內部材料發(fā)熱，散熱不及時，造成熱擊穿損壞。

同方迪一分享瓷片電容濾波的工作原理

如下圖所示為電容濾波電路，濾波電容容量大，因此一般采用電解電容，在接線時要注意電解電容的正、負極。電容濾波電路利用電容的充、放電作用，使輸出電壓趨于平滑。

濾波原理

當u2為正半周并且數(shù)值大于電容兩端電壓uC時，二極管D1和D3管導通，D2和D4管截止，電流一路流經(jīng)負載電阻RL，另一路對電容C充電。當uC>u2，導致D1和D3管反向偏置而截止，電容通過負載電阻RL放電，uC按指數(shù)規(guī)律緩慢下降。

當u2為負半周幅值變化到恰好大于uC時，D2和D4因加正向電壓變?yōu)閷顟B(tài)，u2再次對C充電，uC上升到u2的峰值后又開始下降；下降到一定數(shù)值時D2和D4變?yōu)榻刂梗珻對RL放電，uC按指數(shù)規(guī)律下降；放電到一定數(shù)值時D1和D3變?yōu)閷ǎ貜蜕鲜鲞^程。

?瓷片電容

瓷片電容

瓷片電容一般是由一層介質和一對電極構成的。其主要優(yōu)點就是可以耐高壓，通常用作安規(guī)電容，可以耐250V交流電壓。

瓷片電容在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿