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物質(zhì)都是由分子構(gòu)成，分子是由原子構(gòu)成，原子由帶負電荷的電子和帶正電荷的質(zhì)子構(gòu)成。在正常狀況下，一個原子的質(zhì)子數(shù)與電子數(shù)量相同，正負平衡，所以對外表現(xiàn)出不帶電的現(xiàn)象。但是電子環(huán)繞于原子核周圍，一經(jīng)外力即脫離軌道，離開原來的原子A而侵入其他的原子B，A原子因減少電子數(shù)而帶有正電現(xiàn)象，稱為陽離子;B原子因增加電子數(shù)而呈帶負電現(xiàn)象，稱為陰離子。造成不平衡電子分布的原因即是電子受外力而脫離軌道，這個外力包含各種能量(如動能、位能、熱能、化學(xué)能等)在日常生活中，任何兩個不同材質(zhì)的物體接觸后再分離，即可產(chǎn)生靜電。當(dāng)兩個不同的物體相互接觸時就會使得一個物體失去一些電荷如電子轉(zhuǎn)移到另一個物體使其帶正電，而另一個物體得到一些剩余電子的物體而帶負電。

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       靜電泄放的途徑是多樣的，包括空氣也能被泄放，我們要能及時泄放，不能累計到一定程度再泄放，累計到一定程度后的靜電電壓高達10~30KV，這是很高的電壓，頭發(fā)都能豎起來。并且靜電放電的特點是頂端放電，成直線集中放電，接地越好的設(shè)備被集中放電就麻煩大了，特別是在油墨盤的位置，不起火才怪。    隨著微電子工業(yè)制造技術(shù)的飛速發(fā)展，集成電路的集成度不斷提高，采用 0.1 5~0.25m m制造工藝的CMOS器件被廣泛使用，其耐擊穿電壓下限通常只有50V~100V。有著更高集成度的超高速、高頻IC器件，采用了特殊的制造工藝，如薄膜技術(shù)、淺PN結(jié)、GaAs材料、微小封裝等，其對ESD、電浪涌、機械應(yīng)力、熱應(yīng)力等更為敏感，有的VMOS器件耐壓只有30V。這就給含有上述靜電敏感器件產(chǎn)品的生產(chǎn)制造過程提出了更嚴格的靜電防護要求。

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消除產(chǎn)生靜電的附加源：如液流的噴濺、容器底部積水受到注入流的攪拌、液體或粉體內(nèi)夾入空氣或氣泡、粉塵在料斗或料倉內(nèi)沖擊、液體或粉體的混合攪動等。

選用合適的材料來消除靜電。

 適當(dāng)安排物料的投入順序：在某些攪拌工藝過程中，適當(dāng)安排加料順序，可降低靜電的危害。