變頻器用IGBT測(cè)試儀加工-華科半導(dǎo)體測(cè)試儀

參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)名稱符號(hào)

開通延遲時(shí)間td(on)關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)

上升時(shí)間tr下降時(shí)間tf

開通時(shí)間ton關(guān)斷時(shí)間toff

開通損耗Eon關(guān)斷損耗Eoff

柵極電荷Qg

短路電流ISC//

可測(cè)量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)名稱符號(hào)

反向恢復(fù)電流IRM反向恢復(fù)電荷Qrr

反向恢復(fù)時(shí)間trr反向恢復(fù)損耗Erec

IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求（1）設(shè)備功能IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，變頻器用IGBT測(cè)試儀，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃?。IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，在IGBT的檢測(cè)中，變頻器用IGBT測(cè)試儀價(jià)格，采用大電流脈沖對(duì)IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)。因此，測(cè)量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，變頻器用IGBT測(cè)試儀加工，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)問題。

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測(cè)及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。2IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足IEC60747-9以及IEC60747-2。

變頻器用IGBT測(cè)試儀加工-華科半導(dǎo)體測(cè)試儀由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司是從事“IGBT測(cè)試儀,功率器件測(cè)試儀,首件檢測(cè)儀”的企業(yè)，公司秉承“誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，用心服務(wù)”的理念，為您提供更好的產(chǎn)品和服務(wù)。歡迎來電咨詢！聯(lián)系人：陳少龍。工作濕度 9）尖峰抑制電容 用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。