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MKP是一種金屬化聚薄膜電容器,具有低損耗,無感結(jié)構(gòu)和自愈擊穿的特點(diǎn)。 適用于高壓,大電流和高脈沖強(qiáng)度電路。 CBB電容器也稱為聚電容器。 電容為10p-10μ,額定電壓為63--2000V。 無極性,高絕緣電阻,出色的頻率特性和低介電損耗。
使用上的區(qū)別:MKP電容器主要用于EMI傳入線路濾波,CBB電容器主要用于振蕩,耦合,電阻電容電路等; CBB22的成本低于MKP,并且其電氣性能可以滿足實(shí)際的直流耐壓條件??梢蕴娲鶰KP。
雙層陶瓷電容。
它的體積效率比Class1的好,但是它的電容精度和穩(wěn)定性都很差。普通的Class2電容在?55℃到85℃之間,而電容量誤差值在15%以內(nèi)。離子交換2電容的散逸系數(shù)在2.5%左右。
三層陶瓷電容。
它的體積效率較高,但電容精度和穩(wěn)定性較差。普通Class3電容在10°C到55°C之間時(shí),容量會(huì)有-22%到 56%的變化。碳酸鈣3電容的散熱系數(shù)約為4%。普通的Class3電容將用于去耦電容和其它電源供應(yīng)設(shè)備。
MKP電容器的標(biāo)稱額定電壓為250 / 275VAC(x2),但其直流耐受電壓必須達(dá)到2000V,而CBB電容器的耐受電壓標(biāo)準(zhǔn)僅為額定電壓的1.6倍。
電容器的絕熱性能:MKP和CBB電容器使用聚丙烯薄膜電介質(zhì),因此損耗小且發(fā)熱小。 在實(shí)際應(yīng)用電路中,溫升不應(yīng)比環(huán)境溫度高6°C。 在實(shí)際測試中,許多電路板的溫度上升在4°C以內(nèi)。 如果溫度高于此條件,則表明電容器具有較大的工作功率,并且兩種類型的電容器更有可能發(fā)生故障。
應(yīng)用模式和目的:CBB22的運(yùn)行成本低于MKP,并且在滿足實(shí)際直流耐壓的條件下可以替代MKP的電氣性能。 MKP電容器主要用于EMI輸入線路濾波,而CBB電容器主要用于振蕩,耦合和電阻電容電路。 CBB的成本低于MKP,并且在滿足實(shí)際DC耐壓的同時(shí),在電氣性能方面可以替代MKP。
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