迪一電子自有芯片廠-整流橋堆KBP210G-武漢整流橋堆

同方迪一介紹整流橋選型計(jì)算實(shí)例

整流橋選型主要參考反向峰值電壓和平均整流電流這兩個(gè)參數(shù)，并且留有余量。具體如下：

整流橋的反向擊穿電壓應(yīng)滿足：≥1.5√2×Vin(max);

整流橋的平均整流電流應(yīng)滿足：≥5×P/Vin(min);

舉例：設(shè)計(jì)一款交流輸入電壓范圍為:90～265Vac，功率為30W的開關(guān)電源，整流橋選型應(yīng)滿足以下：

VRRM≥1.5√2×Vin(max)=1.5√2×265=750V

Io≥5×P/Vin(min)=5×30/90=1.67A

注：對于工作頻率較高開關(guān)電源整流電路，要選擇反向恢復(fù)時(shí)間短一點(diǎn)整流橋，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)公式：選擇快速恢復(fù)整流二極管時(shí)候，反向恢復(fù)時(shí)間應(yīng)該大于開關(guān)管上升時(shí)間的三分之一。

同方迪一整流橋堆的構(gòu)成

整流橋堆品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結(jié)構(gòu)之分。*大整流電流從0.5A到100A，武漢整流橋堆，*高反向峰值電壓從50V到1600V。

半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，

選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓.好的廠家有同方迪一的G系列整流橋堆，整流橋堆KBP210G，進(jìn)口品牌有ST、IR，整流橋堆HBS410，臺系的SEP、GD等。整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。

全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。

全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（*高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規(guī)格。

同方迪一分享整流橋的主要參數(shù)

整流橋的本質(zhì)是二極管，所以整流橋的主要參數(shù)與二極管類似。

①反向峰值電壓（VRRM）：整流橋能承受的反向電壓*大值，超過此值，整流橋擊穿。示例中GBJ2510反向峰值電壓為1000V。

②平均整流電流（Io）:整流橋長期工作時(shí)所能承受的流過的*大電流，超過這個(gè)值整流橋熱擊穿。示例中全系列整流橋的平均整流電流在帶散熱片的條件下為25A，不帶散熱片的條件下為4A。

③正向峰值浪涌電流（IFSM）：整流橋能扛住的瞬間電流沖擊*大值，超過此值，整流橋損壞。示例中全系列整流橋能在半個(gè)周期內(nèi)扛住的*大沖擊電流為320A。

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