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化學氣相沉積技術在材料制備中的使用
化學氣相沉積技術生產多晶/非晶材料膜:
化學氣相沉積法在半導體工業(yè)中有著比較廣泛的應用。比如作為緣介質隔離層的多晶硅沉積層。在當代,微型電子學元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外,也有一些在未來有可能發(fā)展成開關以及存儲記憶材料,例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學氣相沉積法進行生產。
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化學氣相沉積的應用
現(xiàn)代科學和技術需要使用大量功能各異的無機新材料,這些功能材料必須是高純的,氣相化學沉積設備,或者是在高純材料中有意地摻入某種雜質形成的摻雜材料。但是,我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結晶等往往難以滿足這些要求,也難以保證得到高純度的產品。因此,無機新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學中的主要課題。
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等離子體化學氣相沉積的化學反應
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等離子體內的化學反應
由于輝光放電過程中對反應氣體的激勵主要是電子碰撞,氣相化學沉積設備廠家,因此等離子體內的基元反應多種多樣的,而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復雜,這些都給PECVD技術制膜過程的機理研究增加了難度。迄今為止,許多重要的反應體系都是通過實驗使工藝參數(shù)較優(yōu)化,從而獲得具有理想特性的薄膜。對基于PECVD技術的硅基薄膜的沉積而言,如果能夠深刻揭示其沉積機理,便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下,大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。
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