電弧離子鍍膜機(jī)-離子鍍膜機(jī)-至成離子鍍膜設(shè)備

真空鍍膜設(shè)備離子鍍的類型及特點(diǎn)是怎樣的?

真空鍍膜機(jī)離子鍍技術(shù)市場使用占比率非常高，鍍餐具，鍍家居，鍍飾品等都離不開離子鍍膜技術(shù)，離子鍍膜技術(shù)不僅僅在國內(nèi)受追捧，國外也是一樣受喜愛。那么，真空鍍膜設(shè)備離子鍍的類型及特點(diǎn)是怎樣的？下面至成小編為大家詳細(xì)介紹一下：

離子鍍是結(jié)合真空蒸鍍和濺射鍍兩種技術(shù)而發(fā)展起來的沉積技術(shù)。在真空條件下，采用適當(dāng)?shù)姆绞绞瑰兡げ牧险舭l(fā)，利用氣體放電使工作氣體和被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，在氣體離子和被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下，蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物在基體上沉積成膜。離子鍍的基本過程包括鍍膜材料的蒸發(fā)、離子化、離子加速、離子轟擊工件表面成膜。根據(jù)鍍膜材料不同的蒸發(fā)方式和氣體的離化方式，構(gòu)成了不同類型的離子鍍，下表是幾種主要的離子鍍。離子鍍具有鍍層與基體附著性能好、繞射性能好、可鍍材質(zhì)廣、沉積速率快等優(yōu)點(diǎn)。

影響離子鍍膜層質(zhì)量的工藝參數(shù)

①基片偏壓.

離子鍍膜基片施加負(fù)偏壓后；各種離子和高能中性粒子流以較高的能量轟擊基片表面．基片負(fù)偏壓的提高，會使基片表面獲得更高的能量，可能形成偽擴(kuò)散層，提高膜層與基體的附著力，還可以改變膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能，如細(xì)化晶粒，圖2表明，隨著基片負(fù)偏壓的提高，膜層組織變細(xì)，但是，基片負(fù)偏壓的提高也會產(chǎn)生一些不利的影響，如反濺射作用的增加，使膜層表面受到刻蝕，使表面光潔程度降低，圖3表明了空心陰極離子鍍鉻時，基片負(fù)偏壓對鉻膜表面光澤度的影響，基片負(fù)偏壓的提高還會使沉積速率降低，使基片溫度升高，圖4表明了電弧離子鍍tin膜基片負(fù)偏壓對沉積速率的影響，因此，應(yīng)根據(jù)不同的離子鍍方法、不同的膜層及使用要求選擇適當(dāng)?shù)幕?fù)偏壓。

②鍍膜真空度和反應(yīng)氣體分壓.

離子鍍膜真空度對膜層組織、性能的影響與真空蒸鍍時的影響規(guī)律相似，但反應(yīng)氣體分壓對反應(yīng)離子鍍鍍制化合物膜的成分、結(jié)構(gòu)和性能有直接的影響，圖5是hcd離子鍍tin膜的硬度與氮?dú)夥謮旱年P(guān)系，因此反應(yīng)氣體的分壓應(yīng)根據(jù)離子鍍方法，化合物膜層的成分、性質(zhì)、使用要求以及設(shè)備來選擇

③基片溫度.

離子鍍膜基片溫度的高低直接影響著膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能。一般情況下，溫度的升高有利于提高膜層與基片的附著力，有利于改善膜層的組織與性能。但是，溫度過高，則會使沉積速率降低，有時還會使膜層晶粒粗大，性能變壞；圖6中hcd離子鍍鉻膜顯微硬度受基片溫度影響的規(guī)律。另外，基片溫度的選擇還要受基片材料性質(zhì)的限制，如鋼材的回火溫度等

④蒸發(fā)源功率．

蒸發(fā)源功率對蒸發(fā)速率有直接的影響，進(jìn)而影響沉積速率，影響膜層的組織、性能，對反應(yīng)沉積化合膜時蒸發(fā)源功率也將影響膜層的成分。

為了獲得所需性能的膜層，應(yīng)綜合分析、考慮各種因素，迭擇鍍膜方法和確定合理的鍍膜工藝參數(shù)。

至成鍍膜機(jī)多靶離子束濺射鍍膜機(jī)

至成鍍膜機(jī)多靶離子束濺射鍍膜機(jī)是研究超導(dǎo)、類金剛石、光學(xué)、磁性等高質(zhì)量薄膜和材料表面改性的光機(jī)一體化的現(xiàn)代化鍍膜設(shè)備。該機(jī)采用四靶、雙離子源、離子源為考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正離子束或中性粒子轟擊靶材料，使材料表面的原子和分子從母材中濺射出來，沉積在基片上成膜?？慑冎迫我獠牧希ń饘?、合金、超導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體等。該機(jī)采用80年代剛剛發(fā)展起來的離子束濺射技術(shù)，利用雙離子源、主，對靶材轟擊，輔在鍍前對基片進(jìn)行清洗，增強(qiáng)基片的活性，提高結(jié)合力及純度。沉積過程中低能轟擊膜，增強(qiáng)沉積原子表面擴(kuò)散和遷移，減少薄膜結(jié)晶結(jié)的缺陷，并配有對基片處理的各種功能，如加熱、冷卻、旋轉(zhuǎn)、激光處理、掩膜等。引出柵φ25mm離子能量，1500ev能量束流大于80mA。