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MOS管（MOSFET）的發(fā)熱情況：

1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，9N90品質供應商，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的忌諱的錯誤。

2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，10N60品質供應商，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。

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ASEMI低壓MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V

型號：A29T / 3402

封裝：SOT-23

漏極電流（VDS）：4A

漏源電壓（ID）：30V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝形式：貼片

種類：場效應晶體管（MOSFET/MOS管）

品牌：ASEMI

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，6N65品質供應商，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。

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MOSFET（場效應管）的主要參數(shù)：

3. 漏源擊穿電壓BVDS

·在VGS=0(增強型)的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

·ID劇增的原因有下列兩個方面:

(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

(2)漏源極間的穿通擊穿

·有些MOS管中，品質供應商，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產生大的ID

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